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[学位论文] 作者：阎大伟,
来源：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 年份：2008
InAsP/InP材料覆盖了1-3μm的近红外区域，这使其成为制作该波段光电器件的重要材料。目前InAsP/InP材料已被成功应用于制作短波红外探测器、半导体激光器、光电调制器等多种光...
[学位论文] 作者：阎大伟,
来源：吉林建筑大学 年份：2021
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