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[学位论文] 作者：胡冬枝,
来源：复旦大学 年份：2002
该文的研究内容分为以下两方面：1.研究了Si（001）面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si（001）6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为6...
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