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[期刊论文] 作者：顾少轩,胡海平,赵修建,
来源：硅酸盐通报 年份：2006
采用熔融-急冷法制备CdS掺杂Ge-Ga-S硫系玻璃,对玻璃的XPS研究表明：玻璃样品中含有Ge,Ga,Cd,S 4种元素,样品的主要成分是GeS2,Ga2S3和CdS;Ge,Ga,Cd,S元素的XPS...
[期刊论文] 作者：詹琰,夏冠群,王永生,赵建龙,朱朝嵩,
来源：半导体学报 年份：2001
设计了 2 .5 Gb/ s光纤通信用耗尽型 Ga As MESFET定时判决电路 .通过 SPICE模拟表明恢复的时钟频率达2 .5 GHz,判决电路传输速率达 2 .5 Gb/ s.实验证明经时钟信号抽样后判...
[期刊论文] 作者：牛磊,陈益敏,沈祥,徐铁峰,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
Ge-Ga-S thin films were deposited by magnetron sputtering with mean coordination number(MCN)ranging from...2.46 to 2.94.The physical properties of the Ge-Ga-S fil...
[期刊论文] 作者：Xiang Shen,Lei Niu,Yimin Chen,Tiefeng Xu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2020
Ge-Ga-S thin films were deposited by magnetron sputtering with mean coordination number (MCN) ranging...from 2.46 to 2.94.The physical properties of the Ge-Ga-S f...
[期刊论文] 作者：Osmanǎglu M.A.,Kadiǒgaǒgaǒglu,
来源：世界核心医学期刊文摘：妇产科学分册 年份：2006
...
[期刊论文] 作者：董晨初,李大枝,张士国,尚玲玲,,
来源：原子与分子物理学报 年份：2013
采用密度泛函理论(DFT)中的B3LYP方法和BP86方法,对Ga_3S_2~-团簇和Ga_4S_3~-团簇进行结构优化,并计算和分析了最稳定结构的成键性质及振动特性.计算结果表明,Ga_3S_2~-团簇...
[期刊论文] 作者：GU Shaoxuan,HU Haiping,TAO Hai,
来源：武汉理工大学学报：材料科学英文版 年份：2005
The samples of the GeS2- Ga2 S3- CdS pseudo-ternary glassy system were prepared by conventional melt-quenching...The microstructure of the GeS2- Ga2 S...
[期刊论文] 作者：GU Shaoxuan,HU Haiping,TAO Hai,
来源：武汉理工大学学报（材料科学版）英 年份：2005
The samples of the GeS2- Ga2 S3- CdS pseudo-tary glassy system were prepared by conventional melt-quenching...The microstructure of the GeS2- Ga2 S3 -...
[期刊论文] 作者：李联合,潘钟,张伟,林耀望,王学宇,吴荣汉,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了离子损伤对等离子体辅助分子束外延生长的 Ga NAs/ Ga As和 Ga In NAs/ Ga As量子阱的影响 .研究表明离子损伤是影响 Ga NAs和 Ga In NAs量子阱质量的关键因素...
[期刊论文] 作者：张超,敖建平,王利,姜韬,孙国忠,何青,周志强,孙云,,
来源：物理化学学报 年份：2012
在酸性水溶液中,分别在金属Ga和Cu/In衬底上进行了Ga电沉积的研究。用循环伏安法研究了导电盐、pH值对电沉积Ga的影响。系统研究了Ga的沉积过程,发现Ga会逐渐向薄膜内部扩散,...
[期刊论文] 作者：汪静,王连刚,
来源：Journal of Medical Colleges of PLA 年份：1998
To comparatively study the sensitivity and specificity of 67Ga planar and SPECT images in diagnosis of...non-Hodgkin’s lymphoma....Methods Simultaneous 67Ga planar...
[期刊论文] 作者：TAO Hai-zheng,DONG Guo-ping,XI,
来源：中国有色金属学会会刊（英文版） 年份：2004
Ge-Ga-Ag-S chalcogenide glasses with the composition Ge30Ga3Ag4S63 were obtained by the conventional...
[期刊论文] 作者：张小红,杨卿,张旭晨,马研,易筱银,,
来源：材料导报 年份：2017
利用化学浴沉积法制备了不同Ga掺杂量的ZnS（ZnS∶Ga）薄膜,并采用热氧化法生长了Ga掺杂ZnO（ZnO∶Ga）薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致发光性能。结果表明：Ga的掺入改...
[期刊论文] 作者：赖延清,匡三双,刘芳洋,张治安,刘军,李劼,刘业翔,,
来源：物理学报 年份：2010
在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜...
[期刊论文] 作者：徐源慧,刘会云,郝险峰,陈蓉娜,高发明,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2015
The mechanical properties and intrinsic hardness of the α-Ga boron phase(α-Ga-B) are studied by using...the combination of first-principles calculations and a s...
[期刊论文] 作者：韩志勇,张茂才,高学绪,周寿增,
来源：北京科技大学学报 年份：2004
研究了Fe-Ga合金中Ga原子对合金的平均原子磁矩的影响.Fe中掺入Ga原子后,并不是简单的'稀释'作用.与纯Fe的原子磁矩相比,Fe-Ga合金中平均原子磁矩减小的同时,在低Ga...
[期刊论文] 作者：王宝基,李晓华,张利伟,王国东,柯三黄,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
calculations, we study the tailoring of the electronic and magnetic properties of gallium sulfide nanoribbons(Ga..._2S_2NRs) by mechanical s...
[期刊论文] 作者：,
来源：每周电脑报 年份：1998
8月17日获悉:台湾技嘉科技推出了GA-6EX/GA-686BX两款主板,GA-686BX主机板采用Intel440BX芯片组,除支持Pentium Ⅱ之Slot Ⅰ与AGP插槽外,还提供100MHz工作外频...,GA-686BX拥有...
[期刊论文] 作者：LiWei ChenXiaoyang LiHui GuoHa,
来源：中国林学：英文版 年份：2003
GA 20-oxidase, the most important limiting enzyme, can catalyze a series of oxidization of GA biosynthesis...pathwayfrom GA12 to GA9 and from GA53 to GA20 in the...
[期刊论文] 作者：Osmanǎglu M.A.,Kadiǒgaǒgaǒglu S.,Osmanǎglu S.,Bo-zkaya H. ,马超,,
来源：世界核心医学期刊文摘(妇产科学分册) 年份：2006
Objective: To determine whether p53 expression and DNA ploidy were related to traditional prognostic indicators in patients with ovarian cancer. Methods: Tumour...
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