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[期刊论文] 作者:, 来源:中外文化交流:英文版 年份:2020
Mr.Rong's Great World:An Exhibition on Rong Geng's Donations opened at the National Art Museum...
[期刊论文] 作者:吴克川,陶忠,潘文,白羽, 来源:建筑科学 年份:2020
在经典Bouc-Wen模型的基础上,介绍了一种能更好地模拟防屈曲支撑材料塑性硬化及力学参数非对称性特点的改进Bouc-Wen模型.采用单参量变化法对改进Bouc-Wen模型的各项参数进行...
[期刊论文] 作者:郭玉荣, 潘建中, 来源:吉林大学学报(工学版 年份:2020
为模拟钢筋混凝土(RC)柱进入非线性状态后的力学性能,本文提出一种改进Bouc-Wen模型,从刚度退化、捏拢效应与非对称特性等方面对Bouc-Wen-Baber-Noori(BWBN)模型进行修正,并结合参数规一化处理与混沌粒子群算法建立模型参数识别方法...进而实现改进Bouc-Wen材料在OpenSees平台中的二次开发,并应用该材料定义RC柱塑性铰的弯矩-转角关系,完成基于集中塑性铰模型的RC柱...
[期刊论文] 作者:, 来源:中外文化交流:英文版 年份:2020
The year 2020 marks the 550^th anniversary of Wen Zhengming s birth.The exhibition of Com m em orating...
[学位论文] 作者:梁冬雪, 来源:厦门大学 年份:2020
锗(Ge)因其具有高载流子迁移率、在光通信波长(~1.55 μm)具有大的吸收系数,准直接带隙结构以及与Si工艺相兼容等优点,被认为是最有希望的硅基光电集成回路候选材料。...由于Ge中施主杂质的固溶度低、扩散系数大,n型重掺GeGe n+/p浅结的实现已成为制备Ge基器件的挑战之一。...围绕这一问题,本论文开展了 Ge上磷(P)旋涂掺杂及浅结制备的研究,主要工作内容和创新点如下:1.创新地提出了在Ge表...
[期刊论文] 作者:Choong Hyun Lee, 来源:微电子制造学报 年份:2020
On the basis of thermodynamic and kinetic consideration of Ge-O system,high-pressure oxidation(HPO)on...Ge was proposed to suppress the GeO desorption during the...
[期刊论文] 作者:钟焕全, 来源:中学课程辅导·教育科研 年份:2020
【摘要】 学校通过“rong(榕容融荣)之美”文化建设,引领师生认同学校办学理念,共同创造学校特色文化,享受追求发展的幸福。  ...
[期刊论文] 作者:Shan-Shan Guo,Ya-Xin Wang,Ying, 来源:药物联合治疗 年份:2020
Backgroud:To verify the antipyretic effect and mechanism of Chai Ge fever relief oral liquid,and to provide...evidence for the clinical application of Chai Ge fev...
[期刊论文] 作者:董帼雄, 来源:大飞机 年份:2020
在经过近5000小时和8000个循环的测试后,2020年10月,GE公司宣布当今世界最大推力的航空发动机——GE9X获得了美国联邦航空管理局(FAA)颁发的型号合格证.rn作为GE公司耗时多年...
[期刊论文] 作者:赵义伟,刘永强,杨绍普,陈祖晨, 来源:工程科学学报 年份:2020
Bouc–Wen模型在非识别激励工况下模拟的阻尼力与实际阻尼力误差较大,对非识别激励振幅过于敏感,针对这一问题,提出了一种描述减振器滞回特性的改进模型.首先用Mechanical te...
[期刊论文] 作者:吴福海,武伟名,唐显, 来源:材料研究与应用 年份:2020
采用熔炼和热压烧结制备了合金Si 80 Ge 20 P 3,Si和Ge中添加P实现N型掺杂,熔炼实现Si和Ge合金化,热压烧结使合金Si 80 Ge 20 P 3成型.对合金Si 80 Ge 20 P...
[期刊论文] 作者:王龙飞, 邓亮, 刘萍,, 来源:计算机工程与应用 年份:2020
提出一种基于改进果蝇优化算法(Improved Fruit fly Optimization Algorithm,IFOA)的压电精密定位平台迟滞特性的Bouc-Wen模型参数辨识方法。...
[期刊论文] 作者:王涛,李勐,孟丽岩, 来源:黑龙江科技大学学报 年份:2020
以非线性Bouc-Wen模型为例,采用容积卡尔曼滤波器与隐性卡尔曼滤波器分别识别模型...
[期刊论文] 作者:牛磊,陈益敏,沈祥,徐铁峰, 来源:中国物理B:英文版 年份:2020
Ge-Ga-S thin films were deposited by magnetron sputtering with mean coordination number(MCN)ranging from...2.46 to 2.94.The physical properties of the Ge-Ga-S fil...
[期刊论文] 作者:Xiang Shen,Lei Niu,Yimin Chen,Tiefeng Xu, 来源:中国物理B(英文版) 年份:2020
Ge-Ga-S thin films were deposited by magnetron sputtering with mean coordination number (MCN) ranging...from 2.46 to 2.94.The physical properties of the Ge-Ga-S f...
[期刊论文] 作者:李哲, 来源:服务外包 年份:2020
为图谋工业互联网的霸主地位,GE曾押注数字化转型,但一路走来却遍布荆棘。如今,GE搭建的以制造业为核心的业务体系,又让外界看到了其回归制造业的决心。20年前,美国通用电气...
[期刊论文] 作者:刘亚峰,, 来源:江苏通信 年份:2020
LFS(Link Fault Signaling,链路故障检测)是10GE/100GE以上高速以太网链路中引入的故障检测机制,可以帮助维护人员快速判断定位物理链路层障碍,不过在实际的网络维护中,由于...
[学位论文] 作者:王泽华,, 来源:西安电子科技大学 年份:2020
Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有望利用其在Si衬底上制备LED作为光电集成的光源器件。...为了本文从分析张应变Ge材料特性入手,利用半导体器件仿真软件Silvaco TCAD搭建了张应变Ge LED器件模型并对结果进行分析,并在实验上制备出了Si-Ge-Si双异质结结构的LED,达到了研究目的...
[学位论文] 作者:张洁,, 来源:西安电子科技大学 年份:2020
Si衬底上直接外延生长Ge外延层(Ge/Si)技术,兼具Si衬底与Ge半导体优势,在微电子与光电子领域应用潜力巨大。...然而,由于Si与Ge之间存在4.2%的晶格失配,Si衬底上直接生长高质量Ge外延层非常困难。...常见的结合循环热退火的两步法工艺虽可制备出高质量Ge/Si外延层,但仍有如下缺点:(1)该工艺通常制备的Ge外延层约1微米厚,薄Ge外延层...
[期刊论文] 作者:Shou-Li Han,Xiao-Tang He,Jun-Mei Guo,Zhao-Ying Ren,Li-Ya Zhu,Liang-Wei Chen,Qing-Nan Shi,Jia-Hong Yi, 来源:稀有金属(英文版) 年份:2020
This paper presents a new method of deter-mining Ge in AuGe alloys by potassium iodate(KIO3)potentiometric...titration when Ge(II)and Au(0)are simul-taneously red...
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