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[期刊论文] 作者：刘鹤丹, 赵旭磊, 叶汉平, 王健,
来源：物联网技术 年份：2023
自2014年生成对抗网络GAN（Generative Adversarial Network）模型被提出以来，GAN已成为无监督学习中最受关注的方法之一。...近年来，众多学者基于对经典GAN的研究提出了一系列变体模型及适用于各类应用场景的方法。本文对GAN的发展历程及重要的GAN变体模型进行了概括、分析、总结。...首先对GAN的基本理论进行了简要概述，分析了GAN经典模型的架构和特点；然后介绍了具有一定影...
[学位论文] 作者：匡维哲,
来源：电子科技大学 年份：2023
随着科技进步与社会发展,GaN高电子迁移率晶体管（GaN High Electron Mobility Transisitor）凭借其宽禁带、高工作频率、高临界击穿电场等独特优势已成为半导体技术领域的研究热点...,其中P-GaN栅增强型GaN HEMT器件（P-GaN HEMT,P-GaN Gate E-Mode Al GaN/GaN HEMT）功率器件作为高频高功率应用中的一种优选解决方案更是广受学...
[学位论文] 作者：沈鹏飞,
来源：西安理工大学 年份：2023
二维GaN相较于其体材料具有更宽带隙（4.12 eV）、强激子效应和高辐射复合效率等更优异的光电特性,在光电发射器件等领域有潜在应用。...本文是关于二维GaN材料的研究,分两部分内容,第一部分:用化学气相沉积（CVD）法制备了 GaN纳米片;第二部分:基于第一性原理对类石墨烯GaN（g-GaN）进行修饰改性研究,分别研究Mg、C和S掺杂g-GaN...以及有机分子吸附g-GaN的物理性质。...
[期刊论文] 作者：黄森,张寒,郭富强,王鑫华,蒋其梦,魏珂,刘新宇,
来源：电子与封装 年份：2023
Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有很大的材料和系统优势。...从5种实现增强型GaN基功率电子器件的方法入手，重点介绍了采用超薄势垒Al GaN（小于6 nm）/GaN异质结实现无需刻蚀Al GaN势垒层的GaN基增强型器件的物理机理和实现方法。...同时介绍了在超薄势垒Al GaN/GaN异质结构上实现增强型/...
[学位论文] 作者：李爽,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
由于AlGaN/GaN异质结在界面处形成了具有高电子迁移率和高浓度的二维电子气（2DEG）,GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是天然的常开型器件,在高压、高频和大功率等领域中有广泛的应用。...为了和已经发展成熟的集成工艺进行兼容,同时考虑到电路的安全性与简单原则,GaN增强型HEMT器件的研发成为热点。其中,p-GaN栅增强型HEMT是最具有发展潜力的实现方式。...本文主要围绕p-GaN栅HEMT器件展...
[学位论文] 作者：陈可菁,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
氮化镓（GaN）材料因其大的禁带宽度、高的电子迁移率等优势在雷达、通信等领域具有广阔的应用前景。基于GaN材料的高电子迁移率器件具有更大的功率、更高的效率等优势。...与传统的单沟道GaN基HEMTs器件相比,双沟道GaN基HEMTs器件具有更高的二维电子气密度、更好的跨导平坦度。因此,GaN基双沟道HEMTs器件得到了研究人员的广泛关注。...而在众多GaN基双沟道HEMTs器件中,由于In Al N/Ga...
[学位论文] 作者：潘大力,
来源：河北工业大学 年份：2023
由于GaN（Gallium Nitride）和衬底材料之间热膨胀系数和晶格常数不匹配使得在异质衬底上制备的器件内部会有较大的残存应力和位错密度,很大程度上制约了GaN基器件的发展。...解决该问题的根本方法就是同质外延生长GaN,为了进行同质外延就需要大尺寸的GaN厚膜衬底。...在多种GaN生长工艺中,HVPE（Hydride Vapor Phase Epitaxy）得益于于其较低的生长压力和较快的生长速度...
[学位论文] 作者：缪文韬,
来源：西南科技大学 年份：2023
随着现代通信系统适用频率的提高,在射频与微波电路设计中需要更高指标的晶体管器件,而第三代半导体晶体管GaN HEMTs具有更高的电子饱和速率、更低的介电常数等优点。...为有效地表征GaN HEMTs在微波频段下的电学特性,本文重点研究GaN HEMTs高频等效噪声电路建模,开展工作如下:一、建立GaN HEMTs小信号等效电路模型。在...
[学位论文] 作者：周国友,
来源：合肥工业大学 年份：2023
第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有宽禁带、高电子迁移率、高热导率等优良的材料特性,基于Al GaN/GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor）的微波功率放大器芯片被广泛应用于现代通信和雷达等先进设备中...因此,本文对如何提高GaN HEMT微波功率器件的临界行为进行研究。本文使用TCAD（T...
[学位论文] 作者：付祯,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、电子迁移率、电子饱和速度高和热导率高等优点,在高功率和高效率微波功率器件中具有广阔的应用前景。...在电流增益截止频率接近的情况下,基于HEMT结构的GaN微波功率器件的击穿电压和功率密度是Si基和Ga As基微波功率器件的5-10倍。...传统Al GaN/GaN HEMT器件在过去几十年取得了长足的进展,但是随着器件工作频率的不断提升,Al GaN/GaN HEMT器件面...
[期刊论文] 作者：秦尧, 明鑫, 叶自凯, 庄春旺, 张波,
来源：电子与封装 年份：2023
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）相对于传统Si基功率MOSFET的优异特性使其非常适合应用于自动驾驶中的DToF激光雷达，而GaN HEMT性能的发挥依赖于高速、高驱动能力和高可靠性的GaN栅驱动电路...
[学位论文] 作者：段雯阁,
来源：西安理工大学 年份：2023
基于GaN材料的AlGaN/GaN HEMT器件拥有高迁移率、高击穿电压、低导通电阻与耐高温等优异特性,已成为功率半导体领域研究热点。...器件阻断能力与理论极限相比差距较大,未能充分发挥GaN材料高临界击穿电场特性。...论文提出两种改善器件击穿特性的结构,主要内容如下:1、对AlGaN/GaN HEMT器件国内外研究进展及目前存在的问题进行归纳总结。基于GaN材料的晶体结构特性,分析总结了 GaN材料的极...
[学位论文] 作者：吕冬健,
来源：大连海事大学 年份：2023
生成对抗网络（Generative Adversarial Network,GAN）的原理是利用两个卷积神经网络相互对抗、共同进步从而不断地提高数据生成的逼真度。...由于GAN在计算机生成领域出色的性能,使GAN在众多计算机生成技术中脱颖而出,因此也备受大众的关注。最近几年不断有新型GAN模型被提出。...但是当生成细粒度图像时,GAN模型在训练时的速度非常慢,并且消耗巨大的算力。针对这个问题,本文进行了研...
[学位论文] 作者：杨世旭,
来源：吉林大学 年份：2023
氮极性（N-polar）GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）与传统镓极性（Ga-polar）GaN基HEMT相比,具有欧姆接触电阻低、二维电子气（2DEG）限制能力强等优势,在大功率微波功率晶体管、CMOS...目前,氮极性GaN基HEMT仍处于初期发展阶段,一些关键基础问题亟待解决,如高质量氮极性氮化物材料制备技术、氮极性GaN/AlGaN...
[学位论文] 作者：冯慧玮,
来源：江南大学 年份：2023
氮化镓（GaN）基发光二极管（Light-Emitting Diode,LED）拥有优越的光电特性,已成为显示屏、指示灯和固态照明等领域应用最广泛的器件。...但是,随着工作温度的升高,GaN基LED会出现性能下降、可靠性劣化、故障率升高和寿命缩短等热引起的可靠性问题,这限制了GaN基LED的进一步发展和应用。...鉴于此,本文系统研究了GaN基LED...
[学位论文] 作者：谷思雨,
来源：天津大学 年份：2023
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN High Electron Mobility Transistor,GaN HEMT）作为典型的第三代半导体功率器件,由于其具有高工作频率、高效率、大功率等优点,是目前...对于工艺固定的器件,GaN HEMT的总输出功率与器件的总栅宽（栅指数×单位栅宽）成正比,因此在微波/毫米波电路设计时需要对器件结构中的栅指数和单位栅宽进行选择和优化。器...
[学位论文] 作者：杨国放,
来源：西安电子科技大学 年份：2023
采用传统的Al GaN/GaN异质结结构的GaN HEMT（Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor）器件表现出常开特性,造成其应用困难,因此,...增强型GaN基功率器件受到了广泛的关注与研究。...
[学位论文] 作者：李珊珊,
来源：华南理工大学 年份：2023
随着氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件的工作频率进入毫米波频段,由于Ga N材料自身的特点,实现低噪声性能的器件与电路都在面临着严峻挑战。...为了解决上述问题,精准的毫米波GaN HEMT器件噪声建模是非常必要的。...针对GaN HEMT传统器件结构及其噪声模型在高频段应用上存在的问题,本文从多方面进行了噪声建模研究,包括经验基和物理基GaN HEMT器件噪声模型的建立与验证。针对Pucel...
[学位论文] 作者：,
来源：南京邮电大学 年份：2023
受益于半导体材料的发展和GaN外延生长技术的革新,基于三五族GaN的半导体器件得到了高速的发展,如GaN发光二极管（Light-emitting diode,LED）、光电探测器（photodetector...以GaN材料为代表的LED发光器件相比较普通的材质的LED有更大的出光效率、更大的过电流能力和更高的开关速度,这些优势使得InGaN/GaN...
[学位论文] 作者：韩磊,
来源：河北工业大学 年份：2023
GaN基垂直腔面发射激光器（Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL）由于其体积小、单纵模输出、阈值电流低以及易于集成等独特优势,广泛应用于半导体激光照明...目前为止,在业内人士不懈的努力下,GaN基VCSEL性能已经获得了大幅度的提升,有望早日实现大规模商业化应用。然而对于GaN基VCSEL,低的空穴注入效率一直是制约...
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