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[期刊论文] 作者：By Xie Zongming,
来源：中国-东盟博览（旅游版） 年份：2021
Black tiles and white walls are the typical impressions of Hui style architecture， which differs from...
[期刊论文] 作者：XiangdongLi,KarenGeens,NooshinAmirifar,MingZhao,ShuzhenYou,NielsPosthuma,HuLiang,GuidoGroeseneken,StefaanDecoutere,
来源：JournalofSemiconductors 年份：2021
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs, based on resistor-transistor logic (RTL) on...The fundamental inverters in the comparator consist of a p-GaN gate HEMT and a 2DEG resistor as the load...
[学位论文] 作者：杜金娟,
来源：西安电子科技大学 年份：2021
作为典型的宽禁带半导体材料,氮化镓（GaN）具有介电常数小、禁带宽度大、导电性能良好、化学性能稳定等优点,在很多领域都有广泛的应用。...随着GaN异质外延质量的提升以及p型掺杂问题的解决,GaN基发光二极管实现了商业化。迄今为止,GaN材料在新一代发光二极管、激光器、探测器等器件方面发挥着重要的作用。...然而,GaN材料以及GaN基发光二极管仍有许多问题需要解决。在GaN材料的生长过程中,由于生长条件、衬...
[期刊论文] 作者：袁玲, 李嘉欣, 鲁玉梅, 南一,,
来源：实用医学杂志 年份：2021
目的探究回回甘松饮(Hui⁃hui Gan⁃song Yin,HGY)对糖尿病肾病(diabetic nephropathy,DN)大鼠肾小球的保护作用。方法随机选取10只大鼠作为空白对照组(NC)。...
[期刊论文] 作者：Xiangdong Li,Karen Geens,Noosh,
来源：半导体学报:英文版 年份：2021
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode...
[期刊论文] 作者：Xiangdong Li,Karen Geens,Nooshin Amirifar,Ming Zhao,Shuzhen You,Niels Posthuma,Hu Liang,Guido Groeseneken,Stefaan Decoutere,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2021
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode...
[期刊论文] 作者：陈飞,冯全源,
来源：半导体技术 年份：2021
为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN (i-GaN)调制层的新型AlGaN/...
Analysis on degradation mechanisms of normally-off p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron mobility trans
[期刊论文] 作者：Si-De Song,Su-Zhen Wu,Guo-Zhu Liu,Wei Zhao,Yin-Quan Wang,Jian-Wei Wu,Qi He,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2021
The degradation mechanisms of enhancement-mode p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron mobility transistor...
[学位论文] 作者：强伟婷,,
来源：西安电子科技大学 年份：2021
作为整流电路、限幅电路等的核心器件,大功率氮化镓肖特基二极管(GaN based Schottky Barrier Diode,SBD)近年来得到了广泛关注。...在GaN基SBD研究中,主流采用的是Al GaN/GaN异质结构外延材料,获得了出色的器件性能。...然而在GaN基异质结构中,InAlN/GaN在很多方面性能超越Al GaN/GaN,尤其是In组分为17%的晶格匹配InAlN/GaN异质结,但是...
[学位论文] 作者：郑艳鹏,
来源：西安理工大学 年份：2021
二维GaN具有较宽的带隙、优异的光电特性和良好的热力学稳定性,在光电子器件、自旋半导体器件、气体传感器件以及高功率器件等方面具备广阔的应用前景。目前,二维GaN是二维材料研究领域的一个热点。...本文基于第一性原理分别研究了 g-GaN/C60异质结和CO、H2S和NO三种有毒气体分子吸附碱金属掺杂g-GaN的电子和光学特性;研究了用化学气相沉积法制备GaN纳米片。...
[期刊论文] 作者：邱然,刘禹涵,李百奎,
来源：深圳大学学报:理工版 年份：2021
制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏...
[期刊论文] 作者：黄伟,
来源：电子与封装 年份：2021
GaN半导体技术是具有战略性、先导性等显著特性的新一代半导体芯片技术。因GaN材料具有宽禁带宽度、高功率密度、强击穿电场等优势,GaN电子器件,尤其是GaN微波固态器件,已被...
[期刊论文] 作者：汪美琴,袁伟伟,张继业,
来源：计算机工程与设计 年份：2021
为深入研究GAN这一热点模型,对基本GAN模型的原理、优点以及存在的问题进行分析;介绍GAN的发展以及不同的衍生模型,进一步说明GAN模型所做贡献,由此提出未来GAN衍生的改进方向的建议;描述GAN模型在图像...
[期刊论文] 作者：李可欣,陈冲,侯佳琳,周杨鹏,何佳旺,
来源：经济技术协作信息 年份：2021
完整的LDD GaN HEMT器件制作过程主要分为GaN材料生长和器件制作两个主要部分,由于自然界中没有天然的GaN材料,目前大多数GaN材料采用MOCVD以及HPVE方法进行生长。...GaN材料的生长质量和器件的制备工艺共同决定了LDD GaN HEMT器件的性能,本文我们重点介绍LDD GaN HEMT器件的制备工艺。...一、LDD GaN HEMT器件基本结构目前,LDD GaN HEMT结构主要由以下六个部分组成,从下至上分别为第一层、蓝宝石或者SiC衬底,第二层、AlN成核层,厚度约为100nm,第三层...
[学位论文] 作者：李昕宇,
来源：西南交通大学 年份：2021
AlGaN/GaN异质结场效应晶体管（AlGaN/GaN HFET）具有高击穿电压,高电子迁移率和低导通电阻等优越特性,已经成为国内外研究的热点。...然而目前氮化镓功率器件存在耐压能力与理论极限相差较远问题,如何在器件的其他特性尽可能少受影响的情况下提升AlGaN/GaN HFET器件的击穿电压是目前急需解决的问题。...本文围绕实现AlGaN/GaN HFET器件高击穿电压进行研究,主要研究内容和成果如下...
[学位论文] 作者：黄泽阳,,
来源：西安电子科技大学 年份：2021
与硅(Si)基器件相比,基于AlGaN/GaN异质结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)凭借着材料的高电场强度与在AlGaN/GaN界面处形成的二维电子气(2DEG)的高迁移率和电子密度,可以在更高的电压...然而,2DEG的存在使得常规GaN HEMT器件为耗尽型。对于电力电子应用,出于安全原因和简化驱动电路,增强型器件必不可少。因此,增强型GaN HEMT器件的实现成为...
[学位论文] 作者：代一丹,
来源：桂林电子科技大学 年份：2021
近年来,具有高禁带宽度、高击穿电压、高饱和电子迁移速率等优点的氮化镓（GaN）材料在高压、高温、高频和高功率等领域大放异彩。...然而,GaN高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件实际测量击穿电场远小于GaN材料理论击穿值。...本论文针对GaN HEMT器件击穿电压提升,从器件耐压机理出发提出了三种耐压新结构并通过Sentaurus TCAD仿真软件模拟验证。（1）为解决GaN HEMT器件缓冲层漏电,...
[期刊论文] 作者：王建浩,刘雪,王琪,戈硕,唐厚鹭,
来源：电子与封装 年份：2021
设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块。该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式。测试结果表明,模块在约220~270 MHz、工作电压46 V、工作脉宽...
[期刊论文] 作者：王骁,张育民,徐俞,司志伟,徐科,王建峰,曹冰,
来源：中国物理B：英文版 年份：2021
Separation technology is an indispensable step in the preparation of freestanding GaN substrate....In this paper, a largearea freestanding GaN layer was separated...
[期刊论文] 作者：Yue-Bo Liu,Hong-Hui Liu,Jun-Yu Shen,Wan-Qing Yao,Feng-Ge Wang,Yuan Ren,Min-Jie Zhang,Zhi-Sheng Wu,Yang Liu,Bai-Jun Zhang,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2021
The uniform distribution model of the surface donor states in AlGaN/GaN heterostructures has been widely...used in the theoretical calculation.A common and a triple-channel AlGaN/GaN heterostructure Schottky...
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