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[期刊论文] 作者：TIAN Xintong,
来源：中美英语教学:英文版 年份：2019
The purpose of this paper is to explore three main rhetorical devices employed by the The Sutra of Hui...Neng in terms of metaphor,pun,and parody.The Sutra of Hui...
[期刊论文] 作者：Zou Jianhua,Ka-Kit Hui,
来源：世界中西医结合杂志(英文) 年份：2019
INTRODUCTION OF KA-KIT HUI Ka-Kit Hui, the professor, founder and director of UCLA Center for East-West...
[期刊论文] 作者：Liu Yuedi,
来源：孔学堂 年份：2019
Abstract： This paper attempts to make a full exposition of the “spiritual joys of Confucius and Yan Hui...It begins with an analysis of Yan Hui’s reticent but meditativ...
[期刊论文] 作者：GUO ZHIDONG,
来源：今日中国:英文版 年份：2019
Hui-style residential buildings are an important genre of traditional Chinese architecture,mainly found...
[期刊论文] 作者：By GUO ZHIDONG,
来源：CHINA TODAY 年份：2019
Hui-style residential buildings are an important genre of traditional Chinese architecture， mainly found...
[期刊论文] 作者：,
来源：盐湖研究 年份：2019
FANG Chun-hui, as the Second Grade Professor and Doctoral Supervisor,was born in Xianyang City, Shaanxi...
[期刊论文] 作者：史春妍,,
来源：小学教学设计（语文） 年份：2019
能正确认读鼻韵母ang、eng、ing、ong,记住字形,学习在四线格里书写.rn2.学习拼读由声母和鼻韵母ang、eng、ing、ong...
,Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped Ga
[期刊论文] 作者：Mei Ge,Qing Cai,Bao-Hua Zhang,Dun-Jun Chen,Li-Qun Hu,Jun-Jun Xue,Hai Lu,Rong Zhang,You-Dou Zheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
We investigate the negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor...
[期刊论文] 作者：贺兴友,汪波,路嫚,
来源：贵州医药 年份：2019
目的探究眩晕诊断中ENG-V600眼震电图检查系统的临床价值。方法选取2016年7月至2017年12月在我院神经内科接受诊疗的90例眩晕患者为研究对象,治疗前均行ENG-V600眼震电图检查...
[期刊论文] 作者：张光华, 王福豹, 段渭军,,
来源：西北工业大学学报 年份：2019
生成对抗网络(GAN)被广泛应用于图像生成。生成恒星和星系图像对预测未知恒星和星系有着重要的意义。首次将GAN用于生成天文图像,给出了天文图像生成的GAN模型结构;设计了GAN...
[期刊论文] 作者：张卫平,焦探,刘元超,
来源：电源学报 年份：2019
针对氮化镓GaN(gallium nitride)功率晶体管在AC-DC变换器当中的应用进行设计。...首先,在了解GaN器件的基本特性后,通过LTspice仿真软件搭建了PFC电路,分析了GaN寄生参数对驱动...
[期刊论文] 作者：Kang Liu,Jiwen Zhao,Huarui Sun,Huaixin Guo,Bing Dai,Jiaqi Zhu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
Thermal transport properties of GaN heteroepitaxial structures are of critical importance for the thermal...management of high-power GaN electronic and optoelectr...
[期刊论文] 作者：Shuang Wang,Yue-Wen Li,Xiang-Qian Xiu,Li-Ying Zhang,Xue-Mei Hua,Zi-Li Xie,Tao Tao,Bin Liu,Peng Chen,Rong Zhang,You-Dou Zheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
In this work, we prepared the b-Ga2O3@GaN nanowires (NWs) by oxidizing GaN NWs....High-quality hexagonal wurtzite GaN NWs were achieved and the conversion from Ga...
[期刊论文] 作者：倪金玉, 孔岑, 周建军, 孔月婵,,
来源：电源学报 年份：2019
基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高...
[学位论文] 作者：张洪,
来源：西安电子科技大学 年份：2019
GaN基电子器件在光电子和射频大功率器件领域有着巨大的应用前景，但是目前生长的GaN材料仍有较高的缺陷密度，GaN基器件也存在很多可靠性问题。...本文的研究重点是利用超临界流体技术来修复GaN材料和AlGaN/GaNHEMT器件中的缺陷，提高GaN材料及其器件的性能。另外本文还进行了AlGaN/GaNHEMT器件的单步工艺开发。...
[学位论文] 作者：李焘,,
来源：北京工业大学 年份：2019
自从第一支GaN基器件问世以来,GaN基电力电子器件、发光器件均得到了空前的发展,而高昂的GaN同质衬底促使人们将目光转向通过异质外延的方法来获得高质量的GaN材料。...其中Si基材料由于其成熟的工艺、低廉的价格、良好的导电导热性而成为GaN异质外延的重要选择。目前,MOCVD因其高性能、可量产而成为主流市场认可的GaN材料外延方式。...为了避免外延过程中GaN材料与Si基衬底之间的回熔刻蚀现象,普遍会采...
[期刊论文] 作者：Chang-Fu Li,Kai-Ju Shi,Ming-Sheng Xu,Xian-Gang Xu,Zi-Wu Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
The photoluminescence (PL) properties of blue multiple InGaN/GaN quantum well (BMQW) and green multiple...InGaN/GaN quantum well (GMQW) formed on a single sapphir...
[期刊论文] 作者：桂奇, 祝元坤, 王现英,,
来源：电子科技 年份：2019
针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀...
[期刊论文] 作者：徐平,,
来源：科技创新导报 年份：2019
本研究的GaN基LED外延生长方法中通过通入大量的NH3进行裂解,将N原子附着在生长的P型GaN上,在NH3进行裂解处理的同时,对生长好的P型GaN进行短暂的退火处理,让其晶格在热作用...
[期刊论文] 作者：马若飞,
来源：市场周刊·理论版 年份：2019
本文介绍了GaN基材料和LED的基本特性,从其发展进程中不难看出对GaN基LED的发展前景十分广阔。GaN基LED是第三代半导体材料,正是现在全球各国研究者感兴趣的方向之一,而且其...
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