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[期刊论文] 作者：Li-Wen Cheng,Jian Ma,Chang-Rui Cao,Zuo-Zheng Xu,Tian Lan,Jin-Peng Yang,Hai-Tao Chen,Hong-Yan Yu,Shu-Dong Wu,Shun Yao,Xiang-Hua Zeng,Zai-Quan Xu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
In this study, an InGaN lighting-emitting diode (LED) containing GaN/AlGaN/GaN triangular barriers is...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国集成电路 年份：2018
日前，GaN Systems公司（GaN SystemsInc．）和罗姆（ROHMCo．，Ltd．）为促进电力电子市场的创新与发展，开始就GaN功率器件事业展开合作。...此次合作将充分发挥GaNSystems公司GaN功率晶体管的业界...
[学位论文] 作者：曹倩,,
来源：宁夏医科大学 年份：2018
目的:验证回回甘松饮（Hui-hui Gan-song Yin,HGY）对Zucker糖尿病大鼠实验动物（Zucker Diabetic Fatty Rat,ZDF鼠）早中期肾纤维化的保护作用,揭示HGY...
[会议论文] 作者：陈堂胜,
来源：2018年全国微波毫米波会议论文集(上册) 年份：2018
GaN HEMT在高频、大功率应用领域具有广阔的发展空间,探索新的异质结材料体系、开发新的器件工艺技术,进一步发掘GaN材料的性能优势是器件研制不懈的追求。...采用InAl GaN强应力势垒材料结构,发展了50nm GaN器件工艺技术体系,研制的GaN HEMT其f T/fmax超过180/400GHz。...采用常规的Al GaN/GaN异质结材料研制的0.1μm GaN HEMT功率MMIC,在90GH...
Study of Nonradiative Recombination Centers in n-GaN Grown on LT-GaN and AlN Buffer Layer by Below-G
[期刊论文] 作者：M. D. Haque,M. Julkarnain,A. Z,
来源：材料物理与化学进展(英文) 年份：2018
Nonradiative recombination (NRR) centers in n-type GaN samples grown by MOCVD technique on a LT-GaN buffer...
[期刊论文] 作者：巩小亮, 陈峰武, 罗才旺, 鲍苹, 魏唯, 彭立波, 程文,
来源：电子工业专用设备 年份：2018
针对Si衬底GaN外延生长中由于张应力引起的表面裂纹问题,采用AlN/Al GaN多缓冲层结构和低温AlN插入层技术,在标准厚度Si（111）衬底上制备了100 mm（4英寸）无裂纹GaN外延材料。...
[期刊论文] 作者：Shuang Cai,Jie Lin,Yi-Qi Liu,J,
来源：中华医学杂志（英文版） 年份：2018
To the Editor:Giant axonal neuropathy (GAN) is a rare neurodegenerative disease caused by recessive mutations...in GAN gene encoding gigaxonin.Nerve pathology of...
[期刊论文] 作者：,
来源：柴油机 年份：2018
日本发动机公司J—Eng已经完成了其新推出的1O缸500mm缸径发动机的工厂试验。...
[期刊论文] 作者：陈峰武, 巩小亮, 罗才旺, 程文进, 魏唯, 鲍苹,,
来源：电子工业专用设备 年份：2018
高电子迁移率AlGaN/GaN HEMT结构材料的研制一直是GaN基射频微波器件的重要发展方向。...采用自主研制的生产型高温MOCVD设备进行AlGaN/GaN HEMT结构材料的生长,通过高温MOCVD外...
[期刊论文] 作者：唐文昕,郝荣晖,陈扶,于国浩,张宝顺,
来源：物理学报 年份：2018
GaN材料具有优异的电学特性,如大的禁带宽度（3.4 eV）、高击穿场强（3.3 MV/cm）和高电子迁移率（600 cm2/（V·s））....AlGaN/GaN异质结由于压电极化和自发极化效应,产生高密度（1×10...
[期刊论文] 作者：柴梦婷,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2018
随着人工智能的发展,具有零和博弈思想的生成式对抗网络GAN（Generative adversarial networks）已成为人工智能领域的一个热门研究方向。...GAN将机器学习中的生成式模型和判别式模...
[期刊论文] 作者：张志荣,房玉龙,尹甲运,郭艳敏,王波,王元刚,李佳,芦伟立,,
来源：物理学报 年份：2018
研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研...
,Effects of Hydrogen Treatment in Barrier on the Electroluminescence of Green InGaN/GaN Single-Quant
[期刊论文] 作者：Qing-feng Wu,Sheng Cao,Chun-lan Mo,Jian-li Zhang,Xiao-lan Wang,Zhi-jue Quan,Chang-da Zheng,Xiao-ming Wu,Shuan Pan,Guang-xu Wang,Jie Ding,Long-quan Xu,Jun-lin Liu,Feng-yi Jiang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2018
Effect of hydrogen (H2) treatment during the GaN barrier growth on the electroluminescence performance...of green InGaN/GaN single-quantum-well light-emitting dio...
Effects of high-energy proton irradiation on separate absorption and multiplication GaN avalanche ph
[期刊论文] 作者：Gui-Peng Liu,Xin Wang,Meng-Nan,
来源：核技术：英文版 年份：2018
The effect of high-energy proton irradiation on GaN-based ultraviolet avalanche photodiodes(APDs)is investigated.The...dark current of the GaN APD is calculated a...
[学位论文] 作者：霍勤,
来源：山东大学 年份：2018
第三代半导体GaN材料因其优异的性能,被广泛地应用于短波长光电子器件和高频微波器件。...目前大部分的GaN器件都是在异质衬底上外延生长制作的,由于GaN材料与衬底之间存在较大的晶格失配和热失配,导致GaN器件内部存在较大的位错密度和残余应力,损害了 GaN器件的性能和使用寿命。...在GaN单晶衬底上同质外延生长制备GaN器件是解决该问题的根本方法。氢化物气相外延法(Hydride Vapor Phase...
[学位论文] 作者：张周,
来源： 年份：2018
GaN是重要的宽禁带化合物半导体材料,广泛应用于制备蓝光LED、半导体激光器和高频大功率半导体器件。了解GaN的表面反应机理,对于提高GaN薄膜生长质量至关重要。...本文采用基于DFT理论的量子化学计算,针对MOVPE生长GaN(0001)-Ga面的吸附和扩散进行研究。...论文主要结论如下:(1)Ga(NH_2)_3、MMG(NH_2)_2、DMGNH_2在理想GaN(0001)表面均以分子形式吸附,每种...
,Effects of high-energy proton irradiation on separate absorption and multiplication GaN avalanche p
[期刊论文] 作者：Gui-Peng Liu,Xin Wang,Meng-Nan Li,Zheng-Peng Pang,Yong-Hui Tian,Jian-Hong Yang,
来源：核技术（英文版） 年份：2018
The effect of high-energy proton irradiation on GaN-based ultraviolet avalanche photodiodes (APDs) is...The dark current of the GaN APD is calcu-lat...
,Effect of graphene/ZnO hybrid transparent electrode on characteristics of GaN light-emitting diodes
[期刊论文] 作者：Jun-Tian Tan,Shu-Fang Zhang,Ming-Can Qian,Hai-Jun Luo,Fang Wu,Xing-Ming Long,Liang Fang,Da-Peng Wei,Bao-Shan Hu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
In order to reduce the Schottky barrier height and sheet resistance between graphene (Gr) and the p-GaN...layers in GaN-based light-emitting diodes (LEDs),conduct...
[学位论文] 作者：朱亚丹,,
来源：太原理工大学 年份：2018
In GaN/GaN多量子阱结构作为有源区广泛应用于蓝绿光发光二极管（LED）、半导体激光器（LD）等光电子器件。由于缺乏天然的GaN衬底,InN与GaN的物理化学性质又存在较大差异,使得生长高...
[期刊论文] 作者：黄伟, 周德金, 许媛, 何宁业, 胡一波, 胡文新,,
来源：电子技术与软件工程 年份：2018
增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计了一种适用于增强型GaN HEMT器件的新型栅驱...
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