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[期刊论文] 作者：Hong-Lan Cai,Hui-Yun Fan,Zhi-Z,
来源：海南医科大学学报(英文版) 年份：2017
Objective:To explore the prevalence of HBsAg in Hui ethnicities aged 55 years and older....
[期刊论文] 作者：莫伟珠,
来源：学校教育研究 年份：2017
教学目标： 1.学会鼻韵母ang、eng、ing、ong和整体认读音节ying及其四声，读准音，认清形，正确书写。 ...2.正确认读由声母和ang、eng、ing、ong组成的音节，会读拼音词和拼音句。 教学重点： 四个后鼻韵音的发音。 教学难点： 正确发尾音ng，区分前、后鼻音。 ...
[期刊论文] 作者：Reza Karami,Masoud Sabaghi,Mas,
来源：世界工程和技术(英文) 年份：2017
The potential impact of GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) with two channel layers of...GaN/InAlGaN is reported....
[期刊论文] 作者：郭海君,段宝兴,袁嵩,谢慎隆,杨银堂,,
来源：物理学报 年份：2017
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型...Al GaN/GaN HE...
Modeling and simulation of enhancement mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT for RF circuit switch applicat
[期刊论文] 作者：D.K.Panda,T.R.Lenka,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
An enhancement mode p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT is proposed and a physics based virtual source charge model...
[学位论文] 作者：唐斌龙,,
来源：江苏大学 年份：2017
GaN是重要的宽禁带化合物半导体材料,广泛用于制备微电子器件和光电子器件,MOVPE是生长GaN薄膜的主要方法。了解GaN的表面反应机理,对于控制GaN的生长质量至关重要。本文基于...
[学位论文] 作者：王娅静,
来源：西安电子科技大学 年份：2017
GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高和热导率高等优势，在微波高功率领域有着极大的应用潜力。目前，以AlGaN/GaN异质结为基础形成的高电子迁移率晶体管是 GaN基器...
[期刊论文] 作者：De-Gang Zhao,De-Sheng Jiang,Ling-Cong Le,Jing Yang,Ping Chen,Zong-Shun Liu,Jian-Jun Zhu,Li-Qun Zhang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2017
The influences of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) and AlGaN electron-blocking layers (EBL) on...the performance of GaN-based violet laser diodes are inves...
[期刊论文] 作者：赵德刚,江德生,乐伶聪,杨静,陈平,刘宗顺,朱建军,张立群,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
The influences of InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs) and AlGaN electron-blocking layers(EBL) on the...performance of GaN-based violet laser diodes are investi...
[会议论文] 作者：李铎,王平,孙萧萧,盛博文,李沫,张健,王新强,沈波,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
GaN作为第三代半导体材料的重要成员,由于它在蓝光或深紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注.众所周知,GaN有两个极性方向,GaN的(0001）方向,即GaN分子中Ga到N沿...
[期刊论文] 作者：周明斌,李振荣,范世马岂,徐卓,熊志华,,
来源：中国照明电器 年份：2017
宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气...
[学位论文] 作者：吕佳骐,
来源：西安电子科技大学 年份：2017
由于GaN材料性能卓越，GaN基AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)在高温大功率应用方面发挥着重要的作用。然而，AlGaN/GaN单异质结材料依然存在限域性较差，高温下迁移率降...
[期刊论文] 作者：殷涛,
来源：科学与信息化 年份：2017
通过对GaN材料湿法蚀刻的研究入手,进一步对蚀刻技术做一个概括,回顾不同的湿法蚀刻技术对比其特点。并从对GaN上进行湿法蚀刻的过程中,探究湿法蚀刻的工艺原理和最终效果。...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,,
来源：半导体技术 年份：2017
研究了低温（LT）GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具有该缓冲层的Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管...
,Simulation on effect of metal/graphene hybrid transparent electrode on characteristics of GaN light
[期刊论文] 作者：Ming-Can Qian,Shu-Fang Zhang,Hai-Jun Luo,Xing-Ming Long,Fang Wu,Liang Fang,Da-Peng Wei,Fan-Ming Meng,Bao-Shan Hu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
order to decrease the Schottky barrier height and sheet resistance between graphene (Gr) and the p-GaN...layers in GaN-based light-emitting diodes (LEDs),some...
[期刊论文] 作者：邹学锋,王波,房玉龙,尹甲运,郭艳敏,张志荣,冯志红,,
来源：半导体技术 年份：2017
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气...
[学位论文] 作者：候泽红,
来源：电子科技大学 年份：2017
GaN材料由于具有带隙宽、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等优秀的材料特性,使GaN基器件在耐压和微波领域成为了研究热点。为了解决GaN基器件栅极漏侧附近电场集聚的问题...
[期刊论文] 作者：钱明灿,张淑芳,罗海军,龙兴明,吴芳,方亮,魏大鹏,孟凡明,胡宝山,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
In order to decrease the Schottky barrier height and sheet resistance between graphene(Gr) and the p-GaN...layers in GaN-based light-emitting diodes(LEDs), some t...
[期刊论文] 作者：张力,林志宇,罗俊,王树龙,张进成,郝跃,戴扬,陈大正,郭立,
来源：物理学报 年份：2017
GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）相对较低的击穿电压严重限制了其大功率应用.为了进一步改善器件的击穿特性,通过在n-GaN外延缓冲层中引入六个等间距p-GaN岛掩埋缓冲层（PIBL）构成p...
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