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[会议论文] 作者：Guochang Xu,Qing Wang,Rongzhi Liu,
来源：The 18th Congress of the International Federation of Associa 年份：2014
To Detect body composition of Hui schoolchildren in Nanyang city, and to explore the characteristics...of body composition changes in the Hui population with ages.The human body composition was detected...
[期刊论文] 作者：,
来源：大众DV 年份：2014
ENG在广播电视系统中简单理解就是单人单机的工作方式，我们日常所见的各种摄录一体机在广电行业都被称为ENG摄像机。这种工作模式是相对于上世纪及之前的那种摄像和录像双人操作的模式而言的。...ENG通常用在新闻采访、纪录片等移动性的拍摄任务中。 EFP则是电子现场制作系统的英文缩写。它是指...
[会议论文] 作者：Ying-Fan Yu,Min Ma,Yan-Qing Li,Ying Liu,
来源：The 11th International Conference of Asian Academy of Preven 年份：2014
Objectives: To recognize the status of dental caries and filling treatment of deciduous teeth among Hui...and Han preschool children in Ningxia.Method: 2592 Hui and Han preschool children aged 3 to 5 ye...
[期刊论文] 作者：,
来源：流行色 年份：2014
HUI（卉）——用现代的观念重新诠释传统的经典——重塑经典，用现代的观念、手法、材料、重新解读经典；用西方的元素表达东方的时尚经典，用东方人理解的西方现代时尚的生活方式演绎奢华。 ...这一次HUI在北京时装周上的发布延续了一贯的优雅和纯粹内核。...
[期刊论文] 作者：Mei Zhang,Qu-Chuan Zhao,Yan-Pe,
来源：世界胃肠病学杂志：英文版（电子版） 年份：2014
prognostic factors and their differences between colorectal cancer(CRC)patients of Chinese Han and Hui...
[期刊论文] 作者：Mei Zhang,Qu-Chuan Zhao,Yan-Peng Liu,Lei Yang,Hong-Ming Zhu,Jagadish K Chhetri,,
来源：World Journal of Gastroenterology 年份：2014
prognostic factors and their differences between colorectal cancer(CRC)patients of Chinese Han and Hui...
Effect of GaN Channel Layer Thickness on DC and RF Performance of GaN HEMTs With Composite AlGaN/GaN
[会议论文] 作者：Xinhua Wang,Sen Huang,Yingkui Zheng,Ke Wei,Xiaojuan Chen,Xinyu Liu,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The effects of GaN channel layer thickness on dc and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs with a state-of-the-art...composite AlGaN/GaN (1/1 μm) buffer were systematically investigated.Although HEMTs with...
[期刊论文] 作者：Zhixin Qin,Xinqiang Wang,Jiejun Wu,Tongjun Yu,Xiangning Kang,Xingxing Fu,Wei Yang,Zhijian Yang,Zhizhao Gan,
来源：Chinese Science Bulletin 年份：2014
In order to solve the problems of GaN heteroepitaxy on sapphire substrate,some techniques were explored.Freestanding...GaN substrates have been made by hydride va...
[期刊论文] 作者：付丙磊,刘乃鑫,刘喆,李晋闽,王军喜,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
The advantages of In GaN/GaN light emitting diodes(LEDs) with p-GaN grown under high pressures are studied.It...
[期刊论文] 作者：LI FengHua,GAO Xu,YUAN YuanLin,
来源：中国科学：技术科学英文版 年份：2014
GaN PIN betavoltaic nuclear batteries are demonstrated in this work.GaN epitaxial layers were grown on...2-inch sapphire sub-strates by MOCVD,and then the GaN PIN...
[期刊论文] 作者：FENG Xiang-Xu,LIU Nai-Xin,ZHANG Ning,WEI Tong-Bo,WANG Jun-Xi,LI Jin-Min,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2014
We clarify the effect of the stress in GaN templates on the subsequent AlInGaN deposition by simply growing...150hm AlInGaN on a 30μm GaN template (sample 1) pre...
[学位论文] 作者：王晓翠,,
来源：河北工业大学 年份：2014
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。...本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor Phase Epitaxy，HVPE）法生长GaN厚膜，为了提高GaN...
[期刊论文] 作者：海信,
来源：光源与照明 年份：2014
今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造...
[期刊论文] 作者：李俊泽,陶岳彬,陈志忠,姜显哲,付星星,姜爽,焦倩倩,于彤军,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
The high power GaN-based blue light emitting diode(LED) on an 80-μm-thick GaN template is proposed and...
[会议论文] 作者：桑玲,朱勤生,杨少延,刘贵鹏,李辉杰,刘舒曼,王占国,郝跃,沈波,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaNheterojunctionsare measured by x-ray photoemission...spectroscopy.A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN...
[会议论文] 作者：冯志红;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
随着GaN基电子器件的应用逐渐向更高频、更大功率和更快速度推进,传统的以AlGaN/GaN异质结为核心的HFET器件开始遭遇瓶颈,探索新型GaN基异质结外延材料势在必行。由于InA...
[学位论文] 作者：张效玮,,
来源： 年份：2014
GaN材料卓越的电学特性使得GaN基HEMT器件日益成为毫米波功率器件的重要选择。本论文首先概括了GaN基HEMT器件的国内外发展现状，提出了毫米波GaN基HEMT器件的研究意义；并对GaN...
[会议论文] 作者：杨华,谢自力,修向前,赵红,陈鹏,张荣,施毅,韩平,郑有炓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野...:用自组织的镍纳米岛作为掩膜来进行GaN纳米结构的制备.本文采用上述方法进行GaN纳米柱的制备....
[会议论文] 作者：Yong Zhang,
来源：第六届全国组合数学与图论大会 年份：2014
Let A be a magic square of even order n.A is a Yang Hui type magic square with t-powered sum if for each...
[学位论文] 作者：张燕峰,,
来源：北京工业大学 年份：2014
GaN LED可靠性的评价是器件在应用前必须解决的问题。随着工艺和技术水平的提高，GaN LED器件的可靠性越来越高。目前，GaN LED器件可以有效工作十年以上，这就使得评价GaN LED器件...
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