搜索筛选:
搜索耗时0.6829秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 923 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：陈秋玉,
来源：小学语文 年份：2008
《ang、eng、ing、ong》是人教版小学语文实验教科书一年级上册拼音教学的最后一课。本课有五部分内容：第一部分是后鼻韵母ang、eng、ing、ong和整体认读音节ying，每个后鼻韵母...
[会议论文] 作者：赵妙,刘新宇,袁婷婷,庞磊,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
基于能带结构模拟的结果,讨论了GaN帽层引起的能带变化同AlGaN/GaN HEMT肖特基特性之间的关系,比较了有无GaN帽层的HEMT肖特基特性的变化,从模拟计算和实验结果来看,由于GaN...
[会议论文] 作者：徐慧,孟子厚,
来源：第八届中国语音学学术会议暨庆贺吴宗济先生百岁华诞语音科学前沿问题国际研讨会(PCC2008/ISPF2008) 年份：2008
本文针对鼻韵母an-ang、en-eng易混淆的现象,提出了一种以Mel频谱能量差异为区别特征的an-ang、en-eng分类器设计方法。实验通过大量语音样本统计出每一对鼻韵母前半数帧的平...
[期刊论文] 作者：GAO Hai-Yong,YAN Fa-Wang,FAN Zhong-Chao,LI Jin-Min,ZENG Yi-Ping,WANG Guo-Hong,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2008
p-GaN surfaces are nano-roughened by plasma etching to improve the optical performance of GaN-based light...The nano-roughened GaN present...
[会议论文] 作者：李诚瞻,魏珂,郑英奎,刘果果,庞磊,刘新宇,,
来源：半导体技术 年份：2008
研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方...
[期刊论文] 作者：XIE Zi-Li,ZHANG Rong,HAN Ping, ZHOU Sheng-Ming, LIU Bin,XIU Xiang-Qian,CHEN Peng,SHI Yi,ZHENG You-Dou,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2008
We report the structural and optical properties of nonpolar m-plane GaN and GaN-based LEDs grown by MOCVD...
[会议论文] 作者：肖红领,王晓亮,张明兰,马志勇,王翠梅,杨翠柏,唐健,冉军学,李晋闽,王占国,侯洵,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。...
[期刊论文] 作者：肖红领,王晓亮,张明兰,马志勇,王翠梅,杨翠柏,唐健,冉军学,
来源：半导体技术 年份：2008
设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。...
Agreement Successfully Signed for the 100,000-ton Lead Smelting Project in Hui County of Gansu Provi
[期刊论文] 作者：,
来源：China Nonferrous Metals Monthly 年份：2008
Recently,Gansu Jianxin Industrial Group suc- cessfully signed the 100,000-ton lead smelting project in Hui...
[期刊论文] 作者：,
来源：Bulletin of the Chinese Academy of Sciences 年份：2008
Aresearch team led by YANG Hui and CHEN Lianghui with the CAS Institute of Semiconductors (ISCAS)has...
[期刊论文] 作者：丁咚,阴明利,邹长伟,郭立平,付德君,,
来源：核技术 年份：2008
采用中频磁控溅射技术，以金属Ga为靶材料，在Si（111）衬底上形成了GaN薄膜，研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。...发现沉积气压为0．4—1．0Pa时，薄膜呈GaN（002）取向，气压...
[会议论文] 作者：樊晶美,王良臣,刘志强,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,...
[期刊论文] 作者：周梅,赵德刚,,
来源：物理学报 年份：2008
研究了p-GaN层厚度对GaN基pin结构紫外探测器性能的影响.模拟计算表明:较厚的p-GaN层会减小器件的量子效率,然而同时也会减小器件的暗电流,较薄的p-GaN层会增加器件的量子效...
[学位论文] 作者：裴晓将,
来源：中国科学院物理研究所 年份：2008
本文以MOCVD外延生长的GaN基材料为基础，重点研究了InGaN/GaN量子阱结构的发光特性。作为GaN基蓝光、绿光发光二极管(LED)有源区最为合适的候选结构，InGaN/GaN量子阱的发光性能...
[学位论文] 作者：黄华,,
来源：长春理工大学 年份：2008
在硅衬底上生长GaN取得了极大进展的基础上,本文创新性地提出了一种制备自支撑GaN衬底的新方法,即首先利用MOCVD,通过插入层和缓冲层技术在硅衬底上生长2μm的无微裂GaN薄膜;...
[期刊论文] 作者：耿振铎,王玉平,
来源：原子与分子物理学报 年份：2008
本文利用密度泛函方法，优化了GaN2基态（X^2B2）的几何平衡结构，其对称性属于C2V，它的键角、平衡核间距和离解能分别为26．428°，0．2526nm和9．574eV．基于量子化学计算得出...GaN和GaN2基...
[学位论文] 作者：朱华,
来源：南昌大学 年份：2008
目前蓝宝石衬底是GaN异质外延最常用的衬底材料，但蓝宝石衬底本身不导电并且解理困难，而硅衬底具有低成本、大面积、高质量、导电导热性能好等优点。但Si衬底与GaN外延层之间巨...
[期刊论文] 作者：ZHANG Dong-Dong,XUE Cheng-Shan,ZHUANG Hui-Zhao,HUANG Ying-Long,WANG Zou-Ping,WANG Ying,GUO Yong-Fu,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2008
Mg-doped GaN nanowires have been synthesized by ammoniating Ga2O3 films doped with Mg under flowing ammonia...The Mg-doped GaN nanowires are...
[期刊论文] 作者：,
来源：Science in China(Series G:Physics,Mechanics & Astronomy) 年份：2008
The surface morphology,electrical properties and optical properties of Si doped n-type GaN were investigated...The intentional SiH4 doped GaN films were grown by...
[会议论文] 作者：魏学成,曾一平,王国宏,李晋闽,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
高质量大尺寸的GaN单晶材料的获得是目前进一步发展GaN基器件的关键问题。由于目前已经证明工业化生产GaN体单晶非常困难,因此目前多采用c面蓝宝石、Si或6H-SiC作为衬底生长G...
相关搜索：
