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[期刊论文] 作者：Liu Zhe Wang Junxi Wang Xiaol,
来源：中国稀土学报：英文版 年份：2006
The surface morphology of GaN grown by MOCVD on GaN/Si template was studied....
[期刊论文] 作者：XIE Xin-Jian,ZHONG Fei,QIU Kai,LIU Gui-Feng,YIN Zhi-Jun,WANG Yu-Qi,LI Xin-Hua,JI Chang-Jian,HAN Qi-Fen,CHEN Jia-Rong,CAO Xian-Cun,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2006
We report the reduced-strain gallium-nitride (GaN) epitaxial growth on (0001) oriented sapphire by using...quasi-porous GaN template....A GaN film in thickness of a...
,Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Laye
[期刊论文] 作者：WANG Jian-Feng,ZHANG Bao-Shun,ZHANG Ji-Cai,ZHU Jian-Jun,WANG Yu-Tian,CHEN Jun,LIU Wei,JIANG De-Sheng,YAO Duan-Zheng,YANG Hui,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2006
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AlN/Si(...
[会议论文] 作者：王茂俊;沈波;王彦;黄森;许福军;许谏;杨志坚;张国义;,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存...
[期刊论文] 作者：胡加辉,
来源：中国照明 年份：2006
利用LP—MOCVD在Si（111）衬底上,以高温AIN为缓冲层,分别用低温GaN（LT—GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT—GaN）为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。...
[期刊论文] 作者：WANG Xinzhong YU Guanghui LEI,
来源：稀有金属：英文版 年份：2006
A high-quality GaN film was (W-GaN) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on metalorganic chemical...vapor deposition (MOCVD) GaN templates with a tungsten...
[期刊论文] 作者：NOUET Gérard,RUTERANA Pierre,,
来源：Rare Metals 年份：2006
A high-quality GaN film was (W-GaN) grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) on metalorganic chemical...vapor deposition (MOCVD) GaN templates with a tungsten...
[期刊论文] 作者：DONG Zhihua,XUE Chengshan,ZHUANG Huizhao,GAO Haiyong,TIAN Deheng,WU Yuxin,
来源：稀有金属（英文版） 年份：2006
A novel and simple method was employed to synthesize GaN films on porous silicon (PS) substrates....GaN films were obtained through the reaction between NH3 and G...
[期刊论文] 作者：,
来源：Rare Metals 年份：2006
A novel and simple method was employed to synthesize GaN films on porous silicon (PS) substrates....GaN films were obtained through the reaction between NH3 and G...
[期刊论文] 作者：周健华,周圣明,邹军,黄涛华,徐军,谢自力,韩平,张荣,,
来源：人工晶体学报 年份：2006
本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况，这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等。通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的，而c轴是GaN的极性轴，导致GaN基器件有...
[期刊论文] 作者：王瑞敏,陈光德,,
来源：光散射学报 年份：2006
对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究。除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外，着重讨论了位于247cm^-1的散射峰的产生机制。结果表明GaN：Mg...
[期刊论文] 作者：赵鸿燕,刘炜,成彩晶,,
来源：航空兵器 年份：2006
实现欧姆接触是获得高性能GaN探测器的基本要求之一。p型GaN上优良的欧姆接触比n型GaN上的难于实现。本文介绍了利用金属Au、Cr／Au在P型GaN材料上做了接触性能研究，通过退火等...
[期刊论文] 作者：游达,许金通,汤英文,何政,徐运华,龚海梅,
来源：半导体学报 年份：2006
报道了p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能．器件的测试结果表明，在p-GaN／Al0.35Ga0.65N／GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark...
[期刊论文] 作者：王婷,郭霞,刘斌,沈光地,,
来源：光电工程 年份：2006
对激光剥离Al2O3／GaN技术，建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型．计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层内的温度场分布，由此得到激光剥离的阈值条件...
[期刊论文] 作者：王俊平,任春丽,冯倩,张会宁,郝跃,,
来源：微电子学与计算机 年份：2006
在GaN薄膜制备中，薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据。文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析．提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法。该方法首先果用闯值分割法二值化...
[期刊论文] 作者：,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2006
The GaN thin film is successfully grown on the sample of ZnO/Si by dual ion beams deposition (DIBD) system.The...thin film GaN/ZnO/Si is characterized by the in-s...
[学位论文] 作者：刘喆,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2006
本论文主要就GaN材料体系开展了以下研究工作：一方面是采用Si为衬底进行了GaN材料的生长和LEDs器件结构的研制，研究了Si基GaN的生长参数对外延层的影响，并取得了较好的结果。另...
[期刊论文] 作者：宋淑芳,陈维德,许振嘉,徐叙瑢,,
来源：物理学报 年份：2006
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0.270eV处有一个深能级;GaN注...
[期刊论文] 作者：宋淑芳,陈维德,许振嘉,徐叙,,
来源：物理学报 年份：2006
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0·270eV处有一个深能级;GaN注...
[期刊论文] 作者：张志国,杨瑞霞,李丽,冯震,王勇,杨克武,,
来源：半导体学报 年份：2006
通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,...
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