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[期刊论文] 作者：WU Hai-jun,ZHANG Mao-lei,LI Sh,
来源：计算机辅助绘图设计与制造：英文版 年份：2015
In this paper, we propose a parametric modeling method to reconstruct the Hui-Style and solve the problem...that the user can’t effectively reconstruct the Hui-S...
[期刊论文] 作者：WU Hai-jun,ZHANG Mao-lei,LI Shu-jie,,
来源：Computer Aided Drafting,Design and Manufacturing 年份：2015
In this paper, we propose a parametric modeling method to reconstruct the Hui-Style and solve the problem...that the user can’t effectively reconstruct the Hui-S...
[期刊论文] 作者：张宝晖,谢泉,肖清泉,廖杨芳,杨云良,,
来源：电子元件与材料 年份：2015
采用射频磁控溅射沉积并结合热处理制备Mg2Si/Si异质结,研究了溅射时间对Mg2Si/Si异质结的结构以及电阻率的影响。首先在P型Si衬底沉积不同厚度的Mg膜,然后进行低真空热处理,...
Direct amination of Si nanoparticles for the preparation of Si@ultrathinSiOx@graphenenanosheets ashi
[会议论文] 作者：JinNiu,Xiaohong Chen,Jisheng Zhou,Huaihe Song,Feng Wang,
来源：第十八次全国电化学大会 年份：2015
Self-assembly of opposite charged graphenenanosheets(GNSs) and Si through electrostatic interaction is...an efficient method to fabricate GNSs-encapsulated Si nanostructures as electrode materials forli...
[期刊论文] 作者：杨怀,,
来源：科技创新与应用 年份：2015
文章研究了Mg、Si元素对Al-Mg-Si合金性能影响,重点分析Mg/Si对Al-Mg-Si合金导线在时效过程中导电率及显微硬度的影响。利用示差扫描量热法(DSC)及透射电子显微镜(TEM)方法分...
[期刊论文] 作者：屠涛,李保卫,罗光彩,张高焕,,
来源：铸造技术 年份：2015
介绍了含Si耐热镁合金中Si的添加方式和Mg2Si相的形貌。综述了合金元素Sb、Ca、P和RE变质Mg2Si相的研究进展和变形处理(往复挤压、等通道转角挤压)对Mg2Si相的细化及破碎机制...
[期刊论文] 作者：张保丰,刘德波,陈永方,王利国,,
来源：热加工工艺 年份：2015
利用SEM对AM60-Si-Ca合金中Mg2Si相的形态进行了观察,并对Mg2Si相的生长过程进行了探讨。...结果表明,在AM60-Si合金凝固过程中,由于Mg2Si形成元素的扩散不平衡,导致Mg2Si由八面...
[期刊论文] 作者：吕雁文,刘淑平,聂慧军,
来源：通信电源技术 年份：2015
通过AFORS-HET软件分析了μc-Si:H(n)发射层,前后a-Si:H(i)本征层的厚度和带隙,对μc-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p+...
[期刊论文] 作者：商海昆,黄永安,侯亚鹏,张来启,林均品,,
来源：金属热处理 年份：2015
研究了Si含量对电弧熔炼Mo-Si系金属间化合物组织结构和室温硬度及断裂韧度的影响。结果表明:随着Si含量的增加,Mo-Si系金属间化合物的裂纹和孔隙增多、致密度下降。Si组元决...
[会议论文] 作者：杨冠卿,刘广政,徐波,
来源：中国物理学会2015年秋季会议 年份：2015
Si是自然界含量非常丰富的一种元素,Si基材料以其低廉的成本,逐渐得到研究人员的重视,成为国际上研究的热点.Si基GaAs的外延生长是Si基光电集成技术中的重要课题,外延生...
[会议论文] 作者：Michio Kondo,
来源：2015第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2015
Outline PV technologies c-Si technologies Hetero junction solar cell technologies Chinese c-Si technologies...
[期刊论文] 作者：杨洲,王茺,于杰,胡伟达,杨宇,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2015
对绝缘层上Si/应变Si1-xGex/Si异质结p-MOSFET电学特性进行二维数值分析,研究了该器件的阈值电压特性、转移特性、输出特性.模拟结果表明,随着应变Si1-xGex沟道层中的Ge组分...
[期刊论文] 作者：田广科,孙勇,孔令刚,毕晓昉,
来源：功能材料 年份：2015
基于物理气相沉积（PVD）之直流磁控溅射镀膜技术在低硅钢薄板双面共沉积富Si膜,然后高温真空扩散处理使Si渗入低硅钢基体,提高基体含Si量.以沉积Fe5Si3膜＋1180℃×1h扩散为1...
[期刊论文] 作者：梁刚,赵国刚,
来源：黑龙江科技大学学报 年份：2015
为解决石墨电极氧化问题，以Si粉和Zr粉为原料采用氩弧熔覆技术，在石墨电极表面制备出C-Si／C—Si—Zr抗氧化复合涂层。在1100℃和1300℃两个不同温度条件下，氧化10h后，测试C—Si-Zr...
[会议论文] 作者：BaoliangWANG[1]AndyLEADBETTER[1]BjoernSEIPEL[2]HubertSEIGNEUR[3],
来源：SNEC 第九届(2015)国际太阳能产业及光伏工程(上海)论坛 年份：2015
During the production of photovoltaic (PV) Si solar panels, a high level of residual stress in Si crystals...
[期刊论文] 作者：张华宇,包栋梁,王鸿健,盖莱,侯帅,陈淑英,,
来源：辽宁工业大学学报(自然科学版) 年份：2015
熔炼并浇注了Mg2Si增强AZ91D复合材料铸锭,并研究了Si含量对其铸态组织和力学性能的影响规律。结果表明：Mg2Si增强AZ91D复合材料中初生Mg2Si数量随着Si含量的增加而增多,其形...
[期刊论文] 作者：Hongliang Zhang,Liqiang Zhu,Liqiang Guo,Yanghui Liu,Qing Wan,,
来源：Journal of Materials Science & Technology 年份：2015
For photovoltaic applications,low-cost SiN_x-coated metallurgical grade silicon(MG-Si) wafers were used...as substrates for polycrystalline silicon(poly-Si) thick...
[期刊论文] 作者：Bin Li,Jun-hong Chen,Jin-dong,
来源：矿物冶金与材料学报：英文版 年份：2015
The state and formation mechanism of α-Si3N4 in Fe–Si3N4 prepared by flash combustion were investigated...
[期刊论文] 作者：Bin Li,Jun-hong Chen,Jin-dong Su,Ming-wei Yan,Jia-lin Sun,Yong Li,,
来源：International Journal of Minerals Metallurgy and Materials 年份：2015
The state and formation mechanism of α-Si3N4 in Fe–Si3N4 prepared by flash combustion were investigated...
[学位论文] 作者：张永锐,,
来源：山东大学 年份：2015
本文系统研究了Ge元素对Al-18Si合金组织及性能的影响,揭示了Al-18Si-xGe合金中Si(Ge)相形成与演变的规律,讨论了其组织形态与硬度的相关性；利用晶粒细化和快速凝固技术对Al-S...
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