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[期刊论文] 作者：王新泉,董瑞兰,丁慧,乔建成,
来源：浙江纺织服装职业技术学院学报 年份：2020
利用慈星GE2-52C电脑横编织机的特点,分析圆筒组织的编织方法,探讨线圈结构图和编织意匠图的绘制,详细叙述了在慈星GE2-52C电脑横编织机上编织有跟弹力袜的工艺方法,实现了一...
[期刊论文] 作者：郭猛,贺洪波,易葵,邵淑英,胡国行,邵建达,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2020
Ultrathin Ge films with thickness of about 15 nm at different deposition temperatures were prepared by...Spectral measurement results showed that as the deposition temperature increased from 100°C to 300°C,...
[期刊论文] 作者：黄守义, 赵书文, 刘标标, 魏振卿, 陈安然,
来源：云南大学学报(自然科学版 年份：2020
采用磁控溅射的方法在Cu箔上制备了Si/Ge/C、Si/C/Ge和Si/C/Ge/C 3种不同的层状结构，其中硅层的厚度约为75 nm，锗层的厚度约为27 nm，碳层的厚度约为20 nm.通过扫描电子显微镜...（SEM）观察了表面微观相貌，X射线衍射（XRD）与X射线光电子能谱（XPS）相结合进行了物相表征.对复合电极进行了恒流充放电测试、循环伏安测试、循环性能测试和阻抗测试.结果表明Si/C/Ge/...
[学位论文] 作者：梁冬雪,
来源：厦门大学 年份：2020
锗(Ge)因其具有高载流子迁移率、在光通信波长(～1.55 μm)具有大的吸收系数,准直接带隙结构以及与Si工艺相兼容等优点,被认为是最有希望的硅基光电集成回路候选材料。...由于Ge中施主杂质的固溶度低、扩散系数大,n型重掺Ge及Ge n+/p浅结的实现已成为制备Ge基器件的挑战之一。...围绕这一问题,本论文开展了 Ge上磷(P)旋涂掺杂及浅结制备的研究,主要工作内容和创新点如下:1.创新地提出了在Ge表...
[期刊论文] 作者：Choong Hyun Lee,
来源：微电子制造学报 年份：2020
On the basis of thermodynamic and kinetic consideration of Ge-O system,high-pressure oxidation(HPO)on...Ge was proposed to suppress the GeO desorption during the...
[期刊论文] 作者：Mahmoud Saif-Al-Islam,Hamdy Sa,
来源：肠胃病学期刊(英文) 年份：2020
Gender difference in chronic hepatitis C (CHC) infection is not previously well studied....We aimed to analyze the effect of ge...
[期刊论文] 作者：Shan-Shan Guo,Ya-Xin Wang,Ying,
来源：药物联合治疗 年份：2020
Backgroud:To verify the antipyretic effect and mechanism of Chai Ge fever relief oral liquid,and to provide...evidence for the clinical application of Chai Ge fev...
[期刊论文] 作者：董帼雄,
来源：大飞机 年份：2020
在经过近5000小时和8000个循环的测试后,2020年10月,GE公司宣布当今世界最大推力的航空发动机——GE9X获得了美国联邦航空管理局(FAA)颁发的型号合格证.rn作为GE公司耗时多年...
[期刊论文] 作者：吴福海,武伟名,唐显,
来源：材料研究与应用 年份：2020
采用熔炼和热压烧结制备了合金Si 80 Ge 20 P 3,Si和Ge中添加P实现N型掺杂,熔炼实现Si和Ge合金化,热压烧结使合金Si 80 Ge 20 P 3成型.对合金Si 80 Ge 20 P...
[期刊论文] 作者：牛磊,陈益敏,沈祥,徐铁峰,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
Ge-Ga-S thin films were deposited by magnetron sputtering with mean coordination number(MCN)ranging from...2.46 to 2.94.The physical properties of the Ge-Ga-S fil...
[期刊论文] 作者：Xiang Shen,Lei Niu,Yimin Chen,Tiefeng Xu,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2020
Ge-Ga-S thin films were deposited by magnetron sputtering with mean coordination number (MCN) ranging...from 2.46 to 2.94.The physical properties of the Ge-Ga-S f...
[期刊论文] 作者：李哲,
来源：服务外包 年份：2020
为图谋工业互联网的霸主地位,GE曾押注数字化转型,但一路走来却遍布荆棘。如今,GE搭建的以制造业为核心的业务体系,又让外界看到了其回归制造业的决心。20年前,美国通用电气...
[学位论文] 作者：伏开虎,
来源：中国建筑材料科学研究总院 年份：2020
论文针对射频磁控溅射法低温沉积红外防护Ge_(1-x)C_x/C膜的结构、性能及其在As40Se60硫系玻璃表面的应用展开研究工...
[期刊论文] 作者：刘亚峰,,
来源：江苏通信 年份：2020
LFS(Link Fault Signaling,链路故障检测)是10GE/100GE以上高速以太网链路中引入的故障检测机制,可以帮助维护人员快速判断定位物理链路层障碍,不过在实际的网络维护中,由于...
[学位论文] 作者：王泽华,,
来源：西安电子科技大学 年份：2020
Ge材料具有与Si材料工艺相兼容,能带结构可调整等优点,有望利用其在Si衬底上制备LED作为光电集成的光源器件。...为了本文从分析张应变Ge材料特性入手,利用半导体器件仿真软件Silvaco TCAD搭建了张应变Ge LED器件模型并对结果进行分析,并在实验上制备出了Si-Ge-Si双异质结结构的LED,达到了研究目的...
[学位论文] 作者：张洁,,
来源：西安电子科技大学 年份：2020
Si衬底上直接外延生长Ge外延层(Ge/Si)技术,兼具Si衬底与Ge半导体优势,在微电子与光电子领域应用潜力巨大。...然而,由于Si与Ge之间存在4.2%的晶格失配,Si衬底上直接生长高质量Ge外延层非常困难。...常见的结合循环热退火的两步法工艺虽可制备出高质量Ge/Si外延层,但仍有如下缺点:(1)该工艺通常制备的Ge外延层约1微米厚,薄Ge外延层...
Determination of Ge in Au alloys using sodium hypophosphite and potassium iodate potentiometric titr
[期刊论文] 作者：Shou-Li Han,Xiao-Tang He,Jun-Mei Guo,Zhao-Ying Ren,Li-Ya Zhu,Liang-Wei Chen,Qing-Nan Shi,Jia-Hong Yi,
来源：稀有金属（英文版） 年份：2020
This paper presents a new method of deter-mining Ge in AuGe alloys by potassium iodate(KIO3)potentiometric...titration when Ge(II)and Au(0)are simul-taneously red...
[期刊论文] 作者：Meng Guo,Hongbo He,Kui Yi,Shuying Shao,Guohang Hu,Jianda Shao,
来源：中国光学快报（英文版） 年份：2020
Ultrathin Ge films with thickness of about 15 nm at different deposition temperatures were prepared by...
[期刊论文] 作者：ZhiLiu,XiuliLi,ChaoqunNiu,JunZheng,ChunlaiXue,YuhuaZuo,BuwenCheng,
来源：PhotonicsResearch 年份：2020
A high-speed evanescent-coupled Ge waveguide electro-absorption modulator (EAM) with simple fabrication...Selectively grown Ge with a triangle shape was directly used for...
[期刊论文] 作者：TAN Xiao-Jun,LU Xiu-Hui,GU Jin-Song,
来源：结构化学 年份：2020
X2Ge=Sn: (X =H,Me,F,Cl,Br,Ph,Ar…) are new species of chemistry.The cycloaddition reaction of X2Ge=Sn:...
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