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[期刊论文] 作者：周琦,陈万军,张波,,
来源：电力电子技术 年份：2012
宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高功率、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统Si材料器件所不可比拟的优势。Si基GaN(GaN-on-Si)功率半...
[会议论文] 作者：张波,周琦,陈万军,
来源：第十一届中国国际半导体博览会暨高峰论坛 年份：2013
宽禁带半导体氮化镓(GaN)器件具有高压、高速、高效率、耐高温等优点,针对未来功率电子应用,GaN器件具有传统硅材料器件所不可比拟的特性优势.硅基GaN (GaN-on-Si)功率半导体...
[学位论文] 作者：颜怀跃,
来源： 年份：2011
近年来,GaN材料以其优异的光电性质和稳定的化学性质在光电信息技术领域越来越受到人们的关注。GaN材料是直接带隙半导体材料,具有禁带宽、电子饱和速率高、击穿电场高、热稳定性好、化学稳定性强等优点。...目前,基于GaN及其化合物的激光二极管和发光二极管已经实现商业化应用。...另外,GaN材料的禁带宽度宽,适用于制备短波长光电子器件；GaN材料的击穿电场高,适用于制备高频器；GaN材料的化学性质稳定,抗辐射能...
Implementing ISO9000 Standards To Speed Up the Development of Shuang Hui Industrial Group Corporatio
[期刊论文] 作者：,
来源：China's Foreign Trade 年份：1997
The Luohe City Shuang Hui Industrial Group Co....
[期刊论文] 作者：Xiangdong Li,Karen Geens,Noosh,
来源：半导体学报:英文版 年份：2021
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode...
[期刊论文] 作者：Xiangdong Li,Karen Geens,Nooshin Amirifar,Ming Zhao,Shuzhen You,Niels Posthuma,Hu Liang,Guido Groeseneken,Stefaan Decoutere,
来源：半导体学报（英文版） 年份：2021
We demonstrate the key module of comparators in GaN ICs,based on resistor-transistor logic(RTL)on E-mode...
[期刊论文] 作者：Siche Dietmar,Rost Hans-Joachim,Schulz Tobias,Albrecht Martin,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2011
Chemical mechanical polishing (CMP) was used to etch various GaN materials, such as GaN layers on sapphire...
Modeling and simulation of enhancement mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT for RF circuit switch applicat
[期刊论文] 作者：D.K.Panda,T.R.Lenka,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
An enhancement mode p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT is proposed and a physics based virtual source charge model...
[期刊论文] 作者：陈飞,冯全源,
来源：半导体技术 年份：2021
为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN (i-GaN)调制层的新型AlGaN/...
[会议论文] 作者：杨华,谢自力,修向前,赵红,陈鹏,张荣,施毅,韩平,郑有炓,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
由于GaN纳米材料具有不同于体材料的独特性质及其在电子学、光子学、超高密度存储等方面的广泛的应用前景,近年来关于GaN纳米结构的研究越来越受到人们的关注,一种新的GaN纳米结构的制备方法迅速跃入人们的视野...:用自组织的镍纳米岛作为掩膜来进行GaN纳米结构的制备.本文采用上述方法进行GaN纳米柱的制备....
[期刊论文] 作者：郑梅,黄和平,,
来源：热加工工艺 年份：2016
GaN材料是制造LED应用最为广泛的材料之一。本文概述了GaN材料的主要生长技术,比较了他们的原理和优缺点,并对今后的发展做了展望。...GaN material is one of the most widel...
[期刊论文] 作者：李栓庆,
来源：半导体情报 年份：2000
GaN生长仍无完美衬底。蓝宝石和GaN上的异质外延生长不存在高位错密度的问题,限制着器件性能和寿命。异质外延生长要求晶格常数和热膨胀系数的匹配。GaN衬底对于大功率应用而...
[期刊论文] 作者：胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。...
[期刊论文] 作者：胡加辉, 朱军山, 冯玉春, 张建宝, 李忠辉, 郭宝平,,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射...
[学位论文] 作者：张会龙,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
由于具有大禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度和大击穿场强等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在最近十几年成为了微波功率器件及电路领域的研究热...
[会议论文] 作者：Yong Zhang,
来源：第六届全国组合数学与图论大会 年份：2014
Let A be a magic square of even order n.A is a Yang Hui type magic square with t-powered sum if for each...
[期刊论文] 作者：黄生荣,陈朝,
来源：微纳电子技术 年份：2005
回顾了近年来GaN材料湿法刻蚀的研究进展,着重探讨了GaN材料光辅助化学湿法刻蚀的机理、p-GaN材料湿法刻蚀的难点以及湿法刻蚀在GaN材料研究中的应用。...
[学位论文] 作者：张燕峰,,
来源：北京工业大学 年份：2014
GaN LED可靠性的评价是器件在应用前必须解决的问题。随着工艺和技术水平的提高，GaN LED器件的可靠性越来越高。目前，GaN LED器件可以有效工作十年以上，这就使得评价GaN LED器件...
[期刊论文] 作者：刘奉光,,
来源：语文教学通讯 年份：2004
在学习普通话的过程中,很多人感到“东”(dong)、“灯”(deng),“穷”(qiong)“情”(qing)之类字的字音不易分辨,拼写更易混淆,这主要是因为没有掌握ong韵字和eng韵字的区分...
[期刊论文] 作者：颜怀跃,修向前,刘战辉,张荣,华雪梅,谢自力,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：半导体学报 年份：2009
Chemical mechanical polishing (CMP) has been used to produce smooth and scratch-free surfaces for GaN...In the aqueous solution of KOH,GaN is subjected to etchin...
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