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[会议论文] 作者：Dongguo Zhaang,Zhonghui Li,Daqing Peng,Xun Dong,Liang Li,Jinyu Ni,张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显...
[期刊论文] 作者：YUAN Ling-song,YUAN Shun-xing,HAUNG Guo-qi,
来源：针灸推拿医学（英文版） 年份：2003
ZHENG Hui-tian organized the project of Acupuncture Treatment of Urethral Syndrome by the Method to Reinforce...
[期刊论文] 作者：张晋芳,武秀丽,等,
来源：水利渔业 年份：2001
云斑Hui对9种药物的敏感性依次为：孔雀石绿＞高锰酸钾＞强氯精＞甲醛＞硫酸铜＞硝酸亚汞＞生石灰＞敌百虫＞呋喃唑酮，各种浓度对云斑Hui鱼荔的安全浓度为：0.01,0.325.0.38,27.21,0.77,0.34,66.11...
[学位论文] 作者：肖冬萍,
来源：中国科学院微电子中心 中国科学院微电子研究所 年份：2004
GaN材料的禁带宽、击穿电压高、电子饱和速度高、稳定性和导热性好,这些优良的材料性能使AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高频、大功率方面有很大的应用前景.该论...
[学位论文] 作者：王晓翠,,
来源：河北工业大学 年份：2014
由于厚的GaN膜可有效降低位错密度，因而生长厚膜GaN已成为近几年的研究热点。...本文利用生长速度较快的氢化物气相外延（HydrideVapor Phase Epitaxy，HVPE）法生长GaN厚膜，为了提高GaN...
[期刊论文] 作者：海信,
来源：光源与照明 年份：2014
今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造...
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用LMTO能带从头计算方法，计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质；用平均键能方法，预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN／GaN应变层...
[期刊论文] 作者：史春妍,,
来源：小学教学设计（语文） 年份：2019
能正确认读鼻韵母ang、eng、ing、ong,记住字形,学习在四线格里书写.rn2.学习拼读由声母和鼻韵母ang、eng、ing、ong...
LAND EVALUATION AND RATIONAL STRUCTURE OF LAND-USE IN DESERT STEPPE AREA IN NINGXIA HUI AUTONOMOUS R
[期刊论文] 作者：,
来源：干旱区资源与环境 年份：1993
Located in the middle and north part of Ningxia Hui Autonomous Region, the desertsteppe area includes...
[期刊论文] 作者：LIU Shu-Jian,YU Qing-Xuan,WANG Jian,LIAO Yuan,LI Xiao-Guang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2009
Growth of a ZnO/GaN heterostructure is carried out using pulsed laser deposition....By etching the ZnO layer from the ZnO/GaN structure, the photoluminescence (PL...
[会议论文] 作者：Dongguo Zhaang,张东国,Zhonghui Li,李忠辉,Daqing Peng,彭大青,Xun Dong,董逊,Liang Li,李亮,Jinyu Ni,倪金玉,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。...使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品...
Investigation of GaN-based light-emitting diodes using a p-GaN/i-InGaN short-period superlattice str
[期刊论文] 作者：LIU XiaoPing,FAN GuangHan,ZHENG ShuWen,GONG ChangChun,LU TaiPing,ZHANG YunYan,XU YiQin,ZHANG Tao,,
来源：Science China(Technological Sciences) 年份：2013
In this work,GaN-based light-emitting diodes(LEDs) with a p-GaN/i-InGaN short-period superlattice(SPSL...) structure,p-GaN and undoped GaN last quantum barrier(LQB...
,Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped Ga
[期刊论文] 作者：Mei Ge,Qing Cai,Bao-Hua Zhang,Dun-Jun Chen,Li-Qun Hu,Jun-Jun Xue,Hai Lu,Rong Zhang,You-Dou Zheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
We investigate the negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor...
[期刊论文] 作者：金旭,
来源：广播与电视技术 年份：2007
随着高清技术的不断深入,高清ENG摄像机功能不断细化。对于不同HDENG摄像机的功能,是否全部可行而且适合操作,画面是否得到改善,新功能对于使用人员带来怎样的便利等等,文章...
[期刊论文] 作者：张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气（2DEG）材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜（AFM...
[期刊论文] 作者：郭海君,段宝兴,袁嵩,谢慎隆,杨银堂,,
来源：物理学报 年份：2017
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型...Al GaN/GaN HE...
[学位论文] 作者：赵德胜,,
来源：长春理工大学 年份：2007
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN欧姆接触进行了研究，主要包括以下内容： 1．研...
[期刊论文] 作者：,
来源：现代电视技术 年份：2016
近日，华创科技中标中央电视台ENG设备-补充采购编辑合成设备项目。中央电视台ENG编辑制作应用新型的易盘卡介质，构建科学、高效、成片可移动的新型高清节目制作工艺流程。为完...
[期刊论文] 作者：ZHOU Jing,YANG Zhi-Jian,XU Shi-Fa,ZHU Xing,ZHANG Guo-Yi,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2001
A thin film of GaN with the thickness of 1.0μm was grown on α-Al2Oa substrate by metal organic chemical...vapour disposition and then a thick GaN film with thic...
[期刊论文] 作者：李友松,
来源：外语电化教学 年份：1988
广州对外贸易学院使用ALPHA MICRO多用户分时系统微机(一台主机,24台终瑞),移植了另一机种辅助英语教学程序,并对数据结构、功能模块等都作了较大的修改和完善,变成了ENG辅助...
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