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Investigation of GaN-based light-emitting diodes using a p-GaN/i-InGaN short-period superlattice str
[期刊论文] 作者：LIU XiaoPing,FAN GuangHan,ZHENG ShuWen,GONG ChangChun,LU TaiPing,ZHANG YunYan,XU YiQin,ZHANG Tao,,
来源：Science China(Technological Sciences) 年份：2013
In this work,GaN-based light-emitting diodes(LEDs) with a p-GaN/i-InGaN short-period superlattice(SPSL...) structure,p-GaN and undoped GaN last quantum barrier(LQB...
,Negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN HEMTs by traps in unintentionally doped Ga
[期刊论文] 作者：Mei Ge,Qing Cai,Bao-Hua Zhang,Dun-Jun Chen,Li-Qun Hu,Jun-Jun Xue,Hai Lu,Rong Zhang,You-Dou Zheng,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2019
We investigate the negative transconductance effect in p-GaN gate AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor...
[期刊论文] 作者：张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉,,
来源：人工晶体学报 年份：2013
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气（2DEG）材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜（AFM...
[期刊论文] 作者：郭海君,段宝兴,袁嵩,谢慎隆,杨银堂,,
来源：物理学报 年份：2017
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型...Al GaN/GaN HE...
[学位论文] 作者：赵德胜,,
来源：长春理工大学 年份：2007
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN欧姆接触进行了研究，主要包括以下内容： 1．研...
[期刊论文] 作者：ZHOU Jing,YANG Zhi-Jian,XU Shi-Fa,ZHU Xing,ZHANG Guo-Yi,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2001
A thin film of GaN with the thickness of 1.0μm was grown on α-Al2Oa substrate by metal organic chemical...vapour disposition and then a thick GaN film with thic...
[期刊论文] 作者：屈媛,班士良,,
来源：内蒙古大学学报(自然科学版) 年份：2010
基于介电连续模型和Loudon单轴模型，采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN／GaN／InN／GaN／AlN量子阱的界面和局域光学声子模．结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AIN／GaN／AlN量子阱的光学...
[学位论文] 作者：毛祥军,
来源：北京大学 年份：1998
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有很大的不同,结合扩散特征的分析,得到了Zn在G...
[期刊论文] 作者：李俊泽,陶岳彬,陈志忠,姜显哲,付星星,姜爽,焦倩倩,于彤军,张国义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
The high power GaN-based blue light emitting diode(LED) on an 80-μm-thick GaN template is proposed and...
[期刊论文] 作者：黄宇亮,张连,程哲,张韵,艾玉杰,赵勇兵,路红喜,王军喜,李晋闽,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
We report a selective area growth(SAG) method to define the p-GaN gate of AlGaN/GaN high electron mobility...
[学位论文] 作者：钟红生,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2011
得益于异质结结构,AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪声以及大功率密度等优点,AlGaN/GaN HEMT在...
[会议论文] 作者：桑玲,朱勤生,杨少延,刘贵鹏,李辉杰,刘舒曼,王占国,郝跃,沈波,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaNheterojunctionsare measured by x-ray photoemission...spectroscopy.A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN...
[期刊论文] 作者：CHENChang－Chun,WUMing－Fang,等,
来源：核技术：英文版 年份：2002
GaN film grown on Si substrate was characterized by Rutherford backscattering /Channeling(RBS/C).The...experimental results show that the thickness of GaN epilaye...
[期刊论文] 作者：赵永瑞,贾东东,史亚盼,吴志国,李俊敏,赵光璞,师翔,
来源：半导体技术 年份：2020
介绍了一种用于高功率高速GaN功率开关的全GaN栅驱动电路。该电路主要基于两个常开型GaN HEMT和一个自偏置电阻。根据该拓扑结构的门限效应,提出了集成脉冲宽度调制功能的全GaN栅极驱动器。...使用两个6 W的GaN HEMT搭建该驱动器,并将其输出连接到一个45 W GaN功率开关的栅极,形成一个DC/DC升压转换器的低侧开关,并进行实验验证。...
[会议论文] 作者：李诚瞻,魏珂,郑英奎,刘果果,庞磊,刘新宇,,
来源：半导体技术 年份：2008
研究了GaN基外延材料对Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应影响,基于背对背肖特基I-V特性的对称性与Al GaN/GaN HEMT电流崩塌效应的对应关系,提出了一种检验GaN基外延材料的简便方...
[期刊论文] 作者：颜伟,韩伟华,张仁平,杜彦东,杨富华,,
来源：微纳电子技术 年份：2011
首先论述了Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波大功率领域的应用优势和潜力;其次,介绍并分析了影响Al GaN/GaN HEMT性能的主要参数,分析表明要提高Al-GaN/GaN HEMT...
[会议论文] 作者：冯志红;,
来源：第十四届全国固体薄膜学术会议 年份：2014
随着GaN基电子器件的应用逐渐向更高频、更大功率和更快速度推进,传统的以AlGaN/GaN异质结为核心的HFET器件开始遭遇瓶颈,探索新型GaN基异质结外延材料势在必行。由于InA...
[学位论文] 作者：徐波,,
来源：中国科学技术大学 年份：2007
GaN作为一种宽禁带半导体一直是人们研究的热点。目前人们对GaN体材料和薄膜的研究已经相当广泛。然而对于一维GaN纳米材料，特别是单晶GaN纳米管的研究还处于初级阶段：主要工作...
[学位论文] 作者：张效玮,,
来源： 年份：2014
GaN材料卓越的电学特性使得GaN基HEMT器件日益成为毫米波功率器件的重要选择。本论文首先概括了GaN基HEMT器件的国内外发展现状，提出了毫米波GaN基HEMT器件的研究意义；并对GaN...
[期刊论文] 作者：胡加辉,
来源：中国照明 年份：2006
利用LP—MOCVD在Si（111）衬底上,以高温AIN为缓冲层,分别用低温GaN（LT—GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT—GaN）为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。...
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