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,The Effect of Multiple Interface States and nc-Si Dots in a Nc-Si Floating Gate MOS Structure Measu
[期刊论文] 作者：SHI Yong,MA Zhong-Yuan,CHEN Kun-Ji,JIANG Xiao-Fan,LI Wei,HUANG Xin-Fan,XU Ling,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2013
An nc-Si floating gate MOS structure is fabricated by thermal annealing of SiNx/a-Si/SiO2.There are nc-Si...dots isolated by a-Si due to partial crystallization.C...
[期刊论文] 作者：Dabing Li,,
来源：Science Bulletin 年份：2016
As Si-based electronics technology approaches its scaling limits,it arises great interest in optical...interconnections via Si photonics.However,Si with an in...
[期刊论文] 作者：王涛, 黄海宾, 孙喜莲, 田罡煜, 宿世超, 高超, 袁吉,
来源：激光与光电子学进展 年份：2017
HIT结构的a-Si:H/c-Si异质结太阳能电池迎光面遮光损失大是限制其效率提升的瓶颈之一。...设计并制备了银栅线/SiNx/c-Si（n+）/n-c-Si/a-Si:H（i）/a-Si:H（p+）/ITO/银栅线结构的双面太阳...
,Comparative study of the electrical properties of Au/n-Si (MS) and Au/Si3N4/n-Si (MIS) Schottky dio
[期刊论文] 作者：Adem Tataroglu,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
In this paper,the electrical parameters of Au/n-Si(MS) and Au/Si3N4/n-Si(MIS) Schottky diodes are obtained...
[期刊论文] 作者：孟秋燕,梁玉霞,贾瑞红,赵利军,白硕,
来源：功能材料 年份：2021
通过调整Si元素的含量,制备出一系列不同Si含量(0,0.3％,0.6％和0.9％质量分数)的Al-Cu-Si复合材料,研究了Si含量对Al-Cu-Si复合材料的硬度、断口形貌及力学性能的影响.结果表明...,在引入Si元素后,所有复合材料的布氏硬度均得到了显著提高,且硬度随着Si掺量的增加而增加,当Si含量为0.9％(质量分数)时,硬度达到最大值为60.2 HB;随着Si元素的引入,Al-Cu-Si复合材料的抗拉强度和抗压强度均得到了提高...,且随着Si含量的增加呈现出先升高后降低的趋势,在Si含量为0.6％(质...
[期刊论文] 作者：周凌云,张庶元,刘文汉,许振嘉,
来源：低温物理学报 年份：1993
本文研究了W/Si、WSix/Si、W/TiN多层膜不同温度退火后的行为。W/Si膜在300～600℃热处理后生成W5Si3,在】600℃处理后,生成wSi2...
[期刊论文] 作者：田静,
来源：青岛大学学报(自然科学版) 年份：2000
本文报道了我们在实验中发现的恒定磁场A1—Si熔体中Si原子的偏折现象并对此现象进行了简单的分析。...This paper reports the deflection of Si atoms in the A1-Si melt of...
[学位论文] 作者：陈豪,,
来源：贵州大学 年份：2021
为开发基于环境友好材料Mg_2Si薄膜的红外探测器,围绕Mg_2Si/Si异质结光电二极管,选用Mg_2Si与Si材料物理参数,建立了器件模型,采用Silvaco、wx AMPS软件对Mg_2Si/Si...首先对pn型与pin型Mg_2Si/Si异质结光电二极管进行了模拟与分析。模拟结果表明:Mg_2Si光敏层对器件光电特性的影响较大,增加光敏层厚度与降低掺杂浓...
[期刊论文] 作者：翟蔚宸,张朝晖,王富耻,神祥博,李树奎,王鲁,
来源：中国有色金属学报：英文版 年份：2014
采用放电等离子烧结（SPS）技术制备不同Si含量的电子封装用Si/Al复合材料，测试复合材料的性能，包括密度、热导率、热膨胀系数及弯曲强度；进行成分及断口分析，研究Si含量对Si/Al复合...
[期刊论文] 作者：吴锋民,黄辉,吴自勤,
来源：半导体学报 年份：2004
Growth of nano Si and Al wires on the Si(100) surfaces is investigated by computer simulation, including...
[期刊论文] 作者：唐守秋,周吉学,田长文,杨院生,
来源：中国有色金属学报：英文版 年份：2011
研究Sr对过共晶Mg-4%Si（质量分数）合金中Mg2Si相的变质作用与机理。Mg-4%Si合金中存在多面体形初生Mg2Si相与汉字状共晶Mg2Si相。...添加Al-10%Sr可以明显细化初生Mg2Si相,同时可...
[期刊论文] 作者：许宗荣,高艳玲,
来源：化学物理学报 年份：1996
用准经典轨线方法研究Si4过渡态与Si3反应的分子动力学,计算结果表明:Si4+Si3反应以非完全聚合机理为主;Si4≠+Si3反应出现了显著的深度非弹性碰撞过程....
[期刊论文] 作者：廖仲尼,陈体军,张素卿,王博,,
来源：特种铸造及有色合金 年份：2014
研究了过量Si含量对原位自生15Mg2Si/Al复合材料组织与力学性能的影响。结果表明,随着Si含量的增加,初生Mg2Si的平均尺寸先增大后减小,当Si含量为5%时,初生Mg2Si的尺寸为41μ...
[期刊论文] 作者：杨怀,,
来源：科技创新与应用 年份：2015
文章研究了Mg、Si元素对Al-Mg-Si合金性能影响,重点分析Mg/Si对Al-Mg-Si合金导线在时效过程中导电率及显微硬度的影响。利用示差扫描量热法(DSC)及透射电子显微镜(TEM)方法分...
[会议论文] 作者：马书懿,王印月,刘雪芹,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
Si/SiO薄膜采用射频磁控溅射技术制备，当正向偏压大于5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au/(Si/SiO)/p-Si结构在室温下的可见电致发光，其发光谱峰位均位于660nm处，测得的各种偏...
[期刊论文] 作者：李宝骐,王佑祥,殷士端,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1987
用AES、XPS、RBS和X射线衍射等技术研究了在稳态热退火和激光退火条件下,Ti/Si和 Ti/SiO_2/Si系统硅化物的形成.在 500—600℃稳态热退火条件下,Ti/Si系统形成 Ti_5Si...
[期刊论文] 作者：Li-Hua Dai,Da-Wei Bi,Zhi-Yuan Hu,Xiao-Nian Liu,Meng-Ying Zhang,Zheng-Xuan Zhang,Shi-Chang Zou,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2018
In this paper, an extra single-step Si...
[期刊论文] 作者：李国辉,朱德华,
来源：北京师范大学学报：自然科学版 年份：1990
研究了 Si~+和 S~+注入 SI-GaAs 经白光瞬态退火后的电特性,得出最佳的退火条件为930～960℃,5s.在适当的注入和退火条件下,得到了陡峭的载流子剖面分布没有拖长的尾巴.发现Si~...
Influence of Si Contents on the Microstructure Evolution and Mechanical Properties of Al Mg Si Cu Zn
[期刊论文] 作者：Liang Zhu,Mingxing Guo,Jishan,
来源：哈尔滨工业大学学报:英文版 年份：2020
The influence of different Si contents on the microstructure evolution and mechanical properties of Al...Mg Si Cu Zn alloys was systematically studied using tensi...
Influence of Si Contents on the Microstructure Evolution and Mechanical Properties of Al?Mg?Si?Cu?Zn
[期刊论文] 作者：Liang Zhu,Mingxing Guo,Jishan Zhang,Gaojie Li,Yu Wang,Linzhong Zhuang,
来源：哈尔滨工业大学学报（英文版） 年份：2020
The influence of different Si contents on the microstructure evolution and mechanical properties ofAl...Si?Cu?Zn alloys was systematically studied using tensil...
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