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[期刊论文] 作者：韦文生,张春熹,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
Using p~+-type crystalline Si with n~+-type nanocrystalline Si(nc-Si) and n~+-type crystalline Si with...p~+-type nc-Si mosaic structures as electrodes,a type of...
[期刊论文] 作者：赵颐, 游泰杰,,
来源：数学的实践与认识 年份：2016
设P_n是X_n={1,…,n}上的部分变换半群.对任意1≤k≤n,令P_n(k)={α∈P_n:(x∈dom(α)x≤k■xα≤k},则易验证P_n(k)是P_n的子半群.刻画了半群P_n(k)的正则元的特征...
[期刊论文] 作者：刘莉,
来源：延安大学学报：自然科学版 年份：2016
主要研究了包含一个字母的字母表上的P-n-右析取语言,证明了Aa^＊不是P-n-右析取语言的等价条件,并给出了判断Aa＊是P-n-右析取语言的条件。...
[期刊论文] 作者：蒋佩兰,韦文生,赵少云,刘路路,,
来源：温州大学学报(自然科学版) 年份：2016
讨论了Si C材料p^＋/p^-（n^-）/n^型二极管的集总电荷模型,利用Matlab编程数值仿真了p^-（n^-）型基区器件的反向恢复过程.分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿...
[期刊论文] 作者：周梅,李春燕,赵德刚,
来源：物理学报 年份：2016
提出了一种利用p-n＋结反向I-V特性随偏压变化的关系计算P—GaN载流子浓度的方法，研究发现，当p-n＋中的p-GaN层没有完全耗尽时，反向电流比较小，属于正常的p-n结电流特性，当反向偏压增...
[期刊论文] 作者：郑璐, 何凤琴, 卢刚, 张治, 郭灵山,,
来源：太阳能 年份：2016
介绍了离子注入制备n型电池p-n结的工艺原理及工艺特点,通过对n型硅片和p+发射极主要参数进行模拟分析,得到高效n型电池性能参数的范围及趋势;并对比不同离子注入剂量对n型电...
[期刊论文] 作者：赵月,陈婵,陈安娜,,
来源：湖南林业科技 年份：2016
以湖南会同杉木基地Ⅱ号集水区杉木人工林为研究对象,对其进行施N肥实验,并进行一年期采样,测定不同施肥处理下N肥对杉木林N、P含量的影响及杉木器官与土壤N、P含量之间的相...
[期刊论文] 作者：张家欢,王强,,
来源：自动化应用 年份：2016
介绍单片机RAM芯片常见的检测算法,分析其在地址总线或数据总线故障的情况下无法检测出故障等问题,并针对该问题设计了改进的RAM检测算法,提高了单片机RAM故障检测的能力。...
Synthesis,Characterization and Application of Transition Metal Complexes based on N,P-bidentate Liga
[会议论文] 作者：黄双,周泉,侯秀峰,
来源：第十九届全国金属有机化学学术讨论会 年份：2016
Synthesis and design new asymmetric N,P ligands and its application in transition-metal catalyzed reactions...have been a hot topic.Owing to the N,P-bidentate lig...
[会议论文] 作者：Yang Cao,Tao Wang,Dezheng Yang,Desheng Xue,
来源：中国物理学会2016年秋季会议 年份：2016
We report a pronounced magnetocapacitance effect in a p-n junction device on the basis of a large magnetoresistence...
[期刊论文] 作者：陈俊,吕加兵,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
report our results on the modeling of the spectral response of the near-infrared(NIR) lattice-matched p-n-p...
[期刊论文] 作者：董喜光,张越,薛立,肖玲玲,朱仕明,曾曙才,,
来源：中南林业科技大学学报 年份：2016
以广东省云勇林场火力楠人工林为试验对象,采取CK（对照）、施N、施P和施N＋P 4种处理,研究模拟氮和磷沉降对其土壤特性的影响。研究结果表明：加N显著增加了土壤全N、有效N、有效P和...
[期刊论文] 作者：,
来源：计算机科学技术学报（英文版） 年份：2016
We describe a data deduplication system for backup storage of PC disk images, named in-RAM metadata utilizing...In-RAM hash granularity ad...
[期刊论文] 作者：李艳,张东晓,于芳,,
来源：电子学报 年份：2016
RAM（Random-Access-Memory,随机存储器）是FPGA（Field Programmable Gate Arrays）片上最重要的宏单元之一,RTL（Register-Transfer-Level...）综合对FPGA开发中RAM的有效利用起至关重要作...
[学位论文] 作者：郭超,
来源：江西师范大学 年份：2016
C、N、P作为地球上所有生命化学组成的基础，影响着生物的生长及其各项生理机能。当前，区域C:N:P化学计量空间格局的信息较多，C:N:P化学计量关系随时间的变化信息则相对缺乏。化...
[期刊论文] 作者：李曼,靳冰洁,钟全林,马玉珠,卢宏典,郭炳桥,郑媛,程栋梁,,
来源：应用与环境生物学报 年份：2016
以刨花楠(Machilus pauhoi)幼苗为研究对象,通过盆栽施肥试验,探讨不同氮(N)、磷(P)供应水平下刨花楠叶片N、P元素含量的动态变化及与土壤养分的相关性.N、P处理各设定4个梯...
[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李雄军,李艳辉,王向前,杨彦,铁筱莹,左大凡,,
来源：红外技术 年份：2016
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-...
[期刊论文] 作者：覃钢,李东升,李雄军,李艳辉,王向前,杨彦,铁筱莹,左大凡,薄俊祥,,
来源：红外技术 年份：2016
研究分析了采用MBE技术外延中波碲镉汞薄膜原位p-on-n材料生长结构及掺杂浓度。掌握了MBE碲镉汞原位p-on-n薄膜材料的生长温度、掺杂浓度和p-n结界面的控制技术,研究了原位p-...
[期刊论文] 作者：袁庭洪 柏天宇,
来源：科技尚品 年份：2016
摘 要：它内部主要由特殊布置的P、N型半导体构成，P、N型半导体紧密结合形成P-N结，使得当光照或热传递到P-N结时，其两侧形成正负电荷的累积，形成内建电场，产生光生伏打效应，在内建电场的两侧引出电机，...
[期刊论文] 作者：任琴,张涛,刘毅,,
来源：科技经济导刊 年份：2016
RAM,又称作“随机存储器”,是与CPU直接交换数据的内部存储器,也叫主存(内存),它可以随时读写,而且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介.它...
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