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[期刊论文] 作者：赵倩俨,
来源：疯狂英语：高中版 年份：2017
Luo Xuejuan, nicknamed “Luoluo,” is a 23-year-old female from Zhejiang Province, who announced her retirement...
[期刊论文] 作者：赵倩俨,应斌,,
来源：疯狂英语(高中版) 年份：2017
牛人小记第21届全国青少年外语能力交流展示活动重庆赛区一等奖Luo Xuejuan,nicknamed“Luoluo,”is a23-year-old female from Zhejiang Province...
[期刊论文] 作者：,
来源：服装设计师 年份：2017
2017年2月13日，Calvin Luo于秀场skylight Clarkson SQ的Gallery3发布Calvin Luo 2017秋冬系列作品。...Calvin Luo发布了专属于他品牌风格的一个新代名词——Asexual，意为突破性...
,Simulation on effect of metal/graphene hybrid transparent electrode on characteristics of GaN light
[期刊论文] 作者：Ming-Can Qian,Shu-Fang Zhang,Hai-Jun Luo,Xing-Ming Long,Fang Wu,Liang Fang,Da-Peng Wei,Fan-Ming Meng,,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2017
order to decrease the Schottky barrier height and sheet resistance between graphene (Gr) and the p-GaN...layers in GaN-based light-emitting diodes (LEDs),some...
[期刊论文] 作者：,
来源：江苏丝绸 年份：2017
百年企业养成记SANG LUO诞生于位列中国四大绸都之一的苏州盛泽,从诞生之初它便被誉为“含着金汤匙出生的品牌”。它的背后是挂牌上市的“江苏华佳丝绸股份有限公司”,有着近...
[期刊论文] 作者：Reza Karami,Masoud Sabaghi,Mas,
来源：世界工程和技术(英文) 年份：2017
The potential impact of GaN-based high electron mobility transistor (HEMT) with two channel layers of...GaN/InAlGaN is reported....
[期刊论文] 作者：郭海君,段宝兴,袁嵩,谢慎隆,杨银堂,,
来源：物理学报 年份：2017
为了优化传统Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistors,HEMTs）器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征GaN帽层的新型...Al GaN/GaN HE...
Modeling and simulation of enhancement mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT for RF circuit switch applicat
[期刊论文] 作者：D.K.Panda,T.R.Lenka,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
An enhancement mode p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT is proposed and a physics based virtual source charge model...
[学位论文] 作者：唐斌龙,,
来源：江苏大学 年份：2017
GaN是重要的宽禁带化合物半导体材料,广泛用于制备微电子器件和光电子器件,MOVPE是生长GaN薄膜的主要方法。了解GaN的表面反应机理,对于控制GaN的生长质量至关重要。本文基于...
[学位论文] 作者：王娅静,
来源：西安电子科技大学 年份：2017
GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高和热导率高等优势，在微波高功率领域有着极大的应用潜力。目前，以AlGaN/GaN异质结为基础形成的高电子迁移率晶体管是 GaN基器...
[期刊论文] 作者：De-Gang Zhao,De-Sheng Jiang,Ling-Cong Le,Jing Yang,Ping Chen,Zong-Shun Liu,Jian-Jun Zhu,Li-Qun Zhang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2017
The influences of InGaN/GaN multiple quantum wells (MQWs) and AlGaN electron-blocking layers (EBL) on...the performance of GaN-based violet laser diodes are inves...
[期刊论文] 作者：赵德刚,江德生,乐伶聪,杨静,陈平,刘宗顺,朱建军,张立群,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
The influences of InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs) and AlGaN electron-blocking layers(EBL) on the...performance of GaN-based violet laser diodes are investi...
[会议论文] 作者：李铎,王平,孙萧萧,盛博文,李沫,张健,王新强,沈波,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
GaN作为第三代半导体材料的重要成员,由于它在蓝光或深紫外光光电器件上的应用前景,日益受到人们的广泛关注.众所周知,GaN有两个极性方向,GaN的(0001）方向,即GaN分子中Ga到N沿...
[期刊论文] 作者：Zi-Wei Zhu,Ji-Yuan Zheng,Lai Wang,Bing Xiong,Chang-Zheng Sun,Zhi-Biao Hao,Yi Luo,Yan-Jun Han,Jian Wang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2017
The wavelength-dependent and frequency-dependent dielectric function of wurtzite-GaN is calculated totally...
[期刊论文] 作者：周明斌,李振荣,范世马岂,徐卓,熊志华,,
来源：中国照明电器 年份：2017
宽禁带GaN半导体器件以其优异的电学和光学特性,已成为目前半导体领域中的研究热点。以高质量GaN体单晶基片为衬底的同质外延生长,是发挥GaN半导体器件优异性能的关键。高质...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,,
来源：微纳电子技术 年份：2017
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)法,在氢化物气相外延(HVPE)自支撑GaN衬底和蓝宝石(0001)衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,采用低压化学气...
[学位论文] 作者：吕佳骐,
来源：西安电子科技大学 年份：2017
由于GaN材料性能卓越，GaN基AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)在高温大功率应用方面发挥着重要的作用。然而，AlGaN/GaN单异质结材料依然存在限域性较差，高温下迁移率降...
[期刊论文] 作者：殷涛,
来源：科学与信息化 年份：2017
通过对GaN材料湿法蚀刻的研究入手,进一步对蚀刻技术做一个概括,回顾不同的湿法蚀刻技术对比其特点。并从对GaN上进行湿法蚀刻的过程中,探究湿法蚀刻的工艺原理和最终效果。...
[期刊论文] 作者：李淑萍,孙世闯,张宝顺,,
来源：半导体技术 年份：2017
研究了低温（LT）GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具有该缓冲层的Al GaN/GaN高电子迁移率晶体管...
[期刊论文] 作者：邹学锋,王波,房玉龙,尹甲运,郭艳敏,张志荣,冯志红,,
来源：半导体技术 年份：2017
Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题。采用金属有机化合物化学气...
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