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[期刊论文] 作者：,
来源：BEIJING REVIEW 年份：2009
Luo guan (government officials who remain in China when their spouses and children have emigrated) is...
[期刊论文] 作者：,
来源：China Chemical Reporter 年份：2009
【正】 On December 30th,2008 Luo Lin was appointed to theHead of the State Administration of Work Safety...
Mechanism of Bragg Diffraction-Assisted Light Extraction in GaN-based Light-Emitting Diodes Based on
[期刊论文] 作者：LIU Wen-De,GAN Zi-Zhao,
来源：理论物理通讯：英文版 年份：2009
By introducing the distribution of the light energy density in GaN-based light-emitting diode (LED),theLED...
Deposition and characterization of BiFeO3 thin films by pulsed laser deposition on GaN and AlGaN/GaN
[会议论文] 作者：W.B.Luo,J.Zhu,Y.R.Li,X.P.Wang,Y.Zhang,
来源：第四届国际表面与界面科学与工程学术会议(The Fourth International Conference on S 年份：2009
BiFeO3 (BFO) thin films was deposited by pulsed laser deposition (PLD) on GaN and AlGaN/GaN semiconductor...substrates.It was found that BFO films deposited directly on GaN show polycrystalline state wi...
,The effect of single A1GaN interlayer on the structural properties of GaN epilayersgrown on Si(111)
[期刊论文] 作者：Wu Yu-xin,Zhu Jian-Jun,Zhao De-Gang,Liu zong-shun,Jiang De-sheng,Zhang Shu-Ming,Wang Yu-Tian,Wang Hui,Chen Gui-Feng,Yang Hui,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
High-quality and nearly crack-free GaN epitaxial layer was obtained by inserting a single AlGaN interlayer...between GaN epilayer and high-temperature AIN buffer...
[期刊论文] 作者：LIU Shu-Jian,YU Qing-Xuan,WANG Jian,LIAO Yuan,LI Xiao-Guang,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2009
Growth of a ZnO/GaN heterostructure is carried out using pulsed laser deposition....By etching the ZnO layer from the ZnO/GaN structure, the photoluminescence (PL...
[期刊论文] 作者：颜怀跃,修向前,刘战辉,张荣,华雪梅,谢自力,韩平,施毅,郑有炓,,
来源：半导体学报 年份：2009
Chemical mechanical polishing (CMP) has been used to produce smooth and scratch-free surfaces for GaN...In the aqueous solution of KOH,GaN is subjected to etchin...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
经过香港科技大学的K.Chen及其研究小组的努力,GaN整流管和常断型HEMTs现在可制作在同一芯片上。据K.Chen称,GaN功率电子IC的此项突破将使单芯片制造GaN基开关型功率转换器成...
[会议论文] 作者：李述体,周天明,范广涵,章勇,郑树文,苏军,曹健兴,周昕妹,
来源：第六届中国国际半导体照明论坛(CHINASSL 2009) 年份：2009
采用MOCVD技术对GaN衬底上生长单晶GaP薄膜以及GaP为p型接触层的GaN基LED外延片进行了研究.通过优化生长条件,在GaN上生长出了单晶GaP薄膜,其(111)面X射线衍射半高宽为408弧...
[学位论文] 作者：陈贵楚,
来源：华南师范大学 年份：2009
量子级联激光器(Quantum Cascade Laser，简称QCL)是目前光电子器件的前沿研究课题，本文以GaN基量子级联激光器为研究方向，对AlGaN/GaN及InAlGaN/GaN两种GaN基量子级联激光器进行...
[学位论文] 作者：李菲,
来源：北京工业大学 年份：2009
GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、导热性能好等优点，在高温、大功率、微波器件领域拥有很大发展潜力。AlGaN/GaN HEMT作为GaN基微电子器件的代表，可广泛应用于能...
[学位论文] 作者：岳远征,,
来源： 年份：2009
论文首先研究了基于GaN及其三元合金AlGaN的AlxGa1-xN/GaN异质结材料系统和330-340nm紫外(UV) AlxGa1-xN/AlyGa1-yN, AlxGa1-xN/GaN多量子阱材料系统...分析了AlxGa1-xN/GaN异...
[期刊论文] 作者：陈裕权,,
来源：半导体信息 年份：2009
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密度高、工作温度高的优良特性。Gree公司和Tr...
[学位论文] 作者：黄森,
来源：北京大学 年份：2009
AlxGa1-xN/GaN宽禁带半导体异质结构体系是发展高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构，深受国际上的关注。因此，AlxGa1-xN/GaN异质结构材料与器件的研究已成为当...
[期刊论文] 作者：王忆锋,唐利斌,,
来源：红外 年份：2009
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件等方面的应用潜能而被广为研究。其中,低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。金属/GaN界面...
[期刊论文] 作者：李忠辉,李亮,董逊,李赟,张岚,许晓军,姜文海,陈辰,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
利用MOCVD在Si（111）衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AIGaN／GaN异质结构。通过优化si衬底的浸润处理时间、AIN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜，研究了SiN缓冲层和插入层...
[期刊论文] 作者：姚光锐,范广涵,李军,杨昊,胡胜蓝,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
对掺杂GaN的湿法刻蚀研究进行了总结，回顾了不同的湿法刻蚀技术，包括传统的酸碱化学刻蚀和电化学刻蚀。从掺杂GaN的生长过程、表面化学组分和光电性质出发，深入地分析了湿法刻蚀...
[学位论文] 作者：赵璐冰,
来源：北京大学 年份：2009
能用于器件制备的优质GaN极性及非极性衬底是解决目前GaN基光电器件发展瓶颈的主要途径，而氢化物气相外延法(HVPE)是目前实现GaN同质衬底最主要的方法。HVPE法制备GaN同质衬底...
[期刊论文] 作者：陈炽,郝跃,冯辉,杨林安,马晓华,段焕涛,胡仕刚,,
来源：半导体学报 年份：2009
Based on a self-developed AlGaN/GaN HEMT with 2.5 mm gate width technology on a SiC substrate,an X-band...GaN combined solid-state power amplifier module is fabri...
The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111
[期刊论文] 作者：吴玉新,朱建军,赵德刚,刘宗顺,江德生,张书明,王玉田,王辉,陈贵锋,杨辉,,
来源：Chinese Physics B 年份：2009
High-quality and nearly crack-free GaN epitaxial layer was obtained by inserting a single AlGaN interlayer...between GaN epilayer and high-temperature AlN buffer...
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