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[期刊论文] 作者：,
来源：大舞台 年份：2001
福不单行最近绯闻缠身的 JENNIFER LOPEZ,被人形容为见利忘义的女人,因男友 PUFF DADDY 多月来被官司缠身,而另结新欢。...JENNIFER 和男友 PUFF DADDY 已经在一起18个月了,...
[期刊论文] 作者：,
来源：大舞台 年份：2001
不认不认还须认,爱得 Jennifer Lopez“死去活来”的 Puff Daddy,日前终于透过官方发言人,向外界承认与 Jennifer 情已逝去的事实。...
[期刊论文] 作者：周劲,张国义,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
The double heterostructure GaN/InGaN/GaN films with different thicknesses of the InGaN layer were grownat...
[期刊论文] 作者：谢世勇,郑有炓,陈鹏,张荣,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
近几年来，GaN材料生长和器件制备都获得了巨大进展。GaN基蓝光LED和LD相继研制成功并进入市场，更加推动了GaN材料的发展。目前GaN器件发展主要的障碍在于背景载流子(电子)浓度...
[期刊论文] 作者：王立, 李述体, 江风益, 余淑娴,,
来源：化学教育 年份：2001
本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景.简述了GaN基材料的生长技术,着重介绍了金属有机化学气相淀积法....
[会议论文] 作者：任尧成,李伟,李存才,李爱珍,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可...
[期刊论文] 作者：何国敏,郑永梅,王仁智,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
采用LMTO能带从头计算方法，计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质；用平均键能方法，预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN／GaN应变层...
[期刊论文] 作者：ZHOU Jing,YANG Zhi-Jian,XU Shi-Fa,ZHU Xing,ZHANG Guo-Yi,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2001
A thin film of GaN with the thickness of 1.0μm was grown on α-Al2Oa substrate by metal organic chemical...vapour disposition and then a thick GaN film with thic...
[学位论文] 作者：毛祥军,
来源：北京大学 年份：1998
该论文在大量GaN和Mg:GaN的生长和电学、光学性质测量的基础上,发现MOCVD在ZnO/AlO衬底上生长GaN的PL特性与在AlO衬底上生长GaN有很大的不同,结合扩散特征的分析,得到了Zn在G...
[期刊论文] 作者：CHENChang－Chun,WUMing－Fang,等,
来源：核技术：英文版 年份：2002
GaN film grown on Si substrate was characterized by Rutherford backscattering /Channeling(RBS/C).The...experimental results show that the thickness of GaN epilaye...
[期刊论文] 作者：李栓庆,
来源：半导体情报 年份：2000
GaN生长仍无完美衬底。蓝宝石和GaN上的异质外延生长不存在高位错密度的问题,限制着器件性能和寿命。异质外延生长要求晶格常数和热膨胀系数的匹配。GaN衬底对于大功率应用而...
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,李晓兵,黄运衡,朱世荣,曾一平,李晋闽,孔梅影,林兰英,
来源：高技术通讯 年份：1997
在国内首次用NH3作氮源的GSMB方法在α－Al2O3衬底上生长出了GaN单晶外延膜。GaN生长速率可达0．5μm／h。...GaN外延膜的（0002）双晶X射线衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8arcmin，霍尔迁移...
[会议论文] 作者：赵德刚,杨辉,江德生,李顺峰,徐大鹏,
来源：第七届全国固体薄膜学术会议 年份：2000
该文研究了立方相pn结GaN的光伏效应，通过比较pn结GaN和n-GaN的光伏谱，提出了利用光伏曲线极性来判断P型GaN的方法。...
[期刊论文] 作者：张万生,赵彦军,
来源：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2002
本文将结合我们的工作体会,主要对以蓝宝石为衬底的GaN固体光源的进展情况加以综述和介绍,并展望了GaN固体光源的应用前景....
[期刊论文] 作者：沈晓明,张秀兰,等,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了用金属有机物气相外延（MOVPE）方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性，并和生长在蓝宝石（0001）衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿...
[期刊论文] 作者：许小亮,施朝淑,S.Fung C.D.Beling,
来源：物理学进展 年份：2001
GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学 输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论...
[期刊论文] 作者：陈振,袁海荣,陆大成,王晓晖,刘祥林,韩培德,汪度,王占国,
来源：发光学报 年份：2001
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质...
[期刊论文] 作者：陈振,袁海荣,陆大成,王晓晖,刘祥林,韩培德,汪度,王占国,
来源：发光学报 年份：2001
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜。研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响。对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶...
[期刊论文] 作者：万凌云,莫春兰,彭学新,熊传兵,王立,江风益,
来源：发光学报 年份：2002
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品.实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与...
[期刊论文] 作者：万凌云,江风益,
来源：发光学报 年份：2002
采用MOCVD技术在Al2O3（0001）衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品。实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X...
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