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[期刊论文] 作者：FENG Qian Qian,ZHOU Wei Gang,
来源：数学研究与评论：英文版 年份：2009
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[会议论文] 作者：Xuehui Huang,Qi Feng,Qian Qian,
来源：2009第四届国际基因组学大会) 年份：2009
The next-generation sequencing technology coupled with the growing number of genome sequences opens the opportunity to redesign genotyping strategies for more e...
[期刊论文] 作者：Ling Feng Qian,Yue Hua Zhou,We,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2009
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：Ling Feng Qian Yue Hua Zhou We,
来源：中国化学快报：英文版 年份：2009
The cycloaddition of N-acyliminium cations with some deactivated alkenes such asα,β-unsaturate ketones and esters has been investigated.In most cases,the...
[期刊论文] 作者：Wang Chong,Ma Xiaohua,Feng Qian,Hao Yue,Zhang Jincheng,Mao Wei,
来源：城市道桥与防洪 年份：2009
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
,High-electric-field-stress-induced degradation of SiN passivated AlGaN/GaN high electron mobility t
[期刊论文] 作者：Gu Wen-Ping,Duan Huan-Tao,Ni Jin-Yu,Hao Yue,Zhang Jin-Cheng,Feng Qian,Ma Xiao-Hua,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs)are fabricated by employing SiN passivation,this paper investigates the degradation due to the high-electric-...
[期刊论文] 作者：Feng Qian,Tian Yuan,Bi Zhi-Wei,Yue Yuan-Zheng,Ni Jin-Yu,Zhang Jin-Cheng,Hao Yue,Yang Lin-An,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
This paper discusses the effect of N2 plasma treatment before dielectric deposition on the electrical performance of a Al2O3/AlGaN/GaN metal-insulator-semicondu...
,Chronic intermittent hypobaric hypoxia protects the heart against ischemia/reperfusion injury throu
[期刊论文] 作者：Hui-cai GUO,Zhe ZHANG,Li-nan ZHANG,Chen XIONG,Chen FENG,Qian LIU,Xu LIU,Xiao-lu SHI,Yong-li WANG,
来源：中国药理学报（英文版） 年份：2009
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