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[期刊论文] 作者：刘超,陈钟荣,,
来源：半导体技术 年份：2015
E类功率放大器(PA)具有设计简单和高效率的优点,然而频率较高时功率管的寄生输出电容大于E类功率放大器所需的电容,这个寄生输出电容导致E类功率放大器的效率降低。提出一种...
[期刊论文] 作者：邓思建,谭坚文,廖瑞金,叶方伟,曾德平,刘青松,,
来源：电工技术学报 年份：2015
E类功率放大器在实际工作情况下,终端负载可能偏离理论设计值,使功放工作特性发生改变,严重时甚至损坏开关管。本文从理论上对E类功放的电路参量进行了理论分析和推导,得到输...
[学位论文] 作者：马晓磊,,
来源：电子科技大学 年份：2015
作为开关类功率放大器的一种,E类功率放大器效率高、电路结构简单,具有广阔的应用前景。但E类功率放大器存在工作频率受晶体管非线性输出电容限制的问题。因此,如何提升E类功...
[学位论文] 作者：周佳辉,,
来源：桂林电子科技大学 年份：2015
传统硅基CMOS集成技术遵循摩尔定律通过不断缩小特征尺寸来提高器件的工作速度、增加集成度以及降低成本,然而在进入纳米时代后开始面临着来自技术层面和物理层面的双重挑战...
[学位论文] 作者：罗俞杰,,
来源： 年份：2015
信息产业的快速发展对功率放大器的尺寸频率带宽都提出了更高的要求,GaN材料具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高和饱和电子速度高等优势,使得GaN HEMT具有输出功率密...
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