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[期刊论文] 作者：胡安康,王磊,吴学众,顾学斌,
来源：工业微生物 年份：2018
本文介绍了绿色环保的杀菌剂万立净LV-5608和万立净LV-5609的热稳定性、与一些涂料的配伍性,及其防腐防霉性能等。试验结果表明,万立净LV-5608和万立净LV-5609在-20℃～55℃温...
[期刊论文] 作者：黄福芳,
来源：恋爱婚姻家庭·青春 年份：2018
战争使得人们的生活水平大大下降，也使得各奢侈品牌陷入了危机，其中就有路易·威登（LV）。 为了解决销售问题，LV公司召开了无数次会议，但都一筹莫展。有人说除了打折外，再没有别的办法了。...
[期刊论文] 作者：,
来源：中国皮革制品 年份：2018
在过去的一年里，LV（路易威登）一直将时尚科技引入其产品中，例如去年夏天该奢侈品牌推出了售价2450美元的Tambour Horizon智能手表。...
[期刊论文] 作者：马健翔, 刘强,,
来源：现代营销(下旬刊) 年份：2018
LV为了适应时尚化奢侈品的市场,与Supreme展开了联名营销。两者展开联名营销,运用各自...
[期刊论文] 作者：宋巧珍,邹枘峰,张亦陈,耿绪云,刘逸尘,
来源：安徽农业科学 年份：2018
[目的]研究丝氨酸蛋白酶基因(Lv-SP)在凡纳滨对虾天然免疫应答过程中的作用。[方法]利用PCR技术克隆凡纳滨对虾丝氨酸蛋白酶基因(Lv-SP),并进行生物信息学分析,进一步通过实...
[期刊论文] 作者：Leon Reno,,
来源：雕塑 年份：2018
整整一个世纪过去了,印有"LV"标志这一重叠字母LOGO的奢...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HVN-WellBiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HVMOS器件。...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HVTwin-WellBiCMOS[B]技术能够实现低压5V与高压100~700V(或更高)兼容的BiCMOS工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的HVMOS器件。...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BiCMOS[B] 技术能够实现低压 5V 与高压100～700V（或更高）兼容的 BiCMOS 工艺.为了便于高低压 MOS 器件兼容集成,采用具有漂移区的偏置栅结构的 HV...
[期刊论文] 作者：陆涵之,
来源：财经国家周刊 年份：2018
虽然LVMH集团（旗下拥有顶级奢侈品牌路易·威登，LV）去年的财报足够令人兴奋，但创始人伯纳德·阿诺特显然不能高枕无忧。 ...
[期刊论文] 作者：,
来源：电脑报 年份：2018
本次我们体验的是AOC推出的LV273HQPX，产品属于卢瓦尔系列，下面来看看其表现如何吧。 ...LV273HQPX采用了卢瓦尔系列家族式的外观设计，底座和背面都采用了金属拉丝表面，屏幕下框为金属高亮装饰条，支架为...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BCD[C]技术能够实现低压5V与高压100~700 V(或更高)兼容的BCD工艺。为了便于高低压MOS器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅结构的H...
[期刊论文] 作者：彭宇林, 覃贵礼, 安轲, 梁维刚,,
来源：通信电源技术 年份：2018
介绍了一种基于三洋公司(SANYO)LV8731V芯片的步进电机细分驱动器的解决方案及实现电路图,其驱动器由主电路、控制信号隔离电路、细分模式设置和输出电流设置电路等构成。该...
[期刊论文] 作者：王天成,,
来源：福建质量管理 年份：2018
随着商标法领域的不断发展,商标的滑稽模仿制度以及商标淡化理论都已经显现出更加重要的作用.本文以LV包诉MOB案件为切入点对商标的滑稽模仿制度做了一个梳理,通过对该案的分...
[期刊论文] 作者：张存娥,张松,
来源：中国设备工程 年份：2018
本文介绍了RB-1500LV-G9型造粒机结构特点及工作原理,并对功能轴承液硫泄漏,造粒效果不佳和钢带跑偏、裂纹的故障进行分析,得出了整改措施及检修方法,最后根据实践经验提出了...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV N-Well BCD[B] 技术（1） 能够实现低压 5 V 与高压 100～700 V（或更高）兼容的BCD 工艺.为了便于高低压 MOS 器件兼容集成,采用源区为硼磷双扩散形成沟道的具有漂移区的偏置栅...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV P-Well BCD[B]技术（1）能够实现低压5 V与高压100～700 V（或更高）兼容的BCD工艺。...
[期刊论文] 作者：潘桂忠,
来源：集成电路应用 年份：2018
LV/HV N-Well BCD[B]技术（2）能够实现MOS器件低压5 V与高压100～700 V （或更高）和双极型器件低压5 V与高压30～100 V兼容的BCD工艺。...
[学位论文] 作者：殷振亚,,
来源：郑州大学 年份：2018
实验目的:制备5-Fu/Lv(5-氟尿嘧啶/亚叶酸钙)联合用药结肠靶向微丸并对其进行初步研究。探索以口服用药的方式替代临床上两药多次频繁交替注射用药,以期提高药物生物利用度,...
[期刊论文] 作者：易建芳,,
来源：湖南包装 年份：2018
奢侈品牌代表LV于2007年推出的"红白蓝编织袋"系列设计,一度成为社会热点话题,文章以此项设计为例解读奢侈品波普设计语言的思维模式:通过对通俗大众文化符号进行洗刷和转换...
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