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[会议论文] 作者：黄仕华;,
来源：第四届全国纳米材料会议 年份：2005
本文利用光电流谱的方法对锗硅低维量子结构的带间吸收边进行了研究.在实验上我们观察到了在不同的偏压和温度下,锗硅低维量子结构的带间吸收边的谱线发生了有规律的变化.通...
[期刊论文] 作者：黄仕华,李汐,凌严,陆昉,
来源：红外与毫米波学报 年份：2005
用飞秒脉冲激光技术研究了半导体中的超快过程.通过用超快光生电压谱对激光激发载流子的动量弛豫过程进行检测,得到在半导体硅中载流子的动量弛豫时间约为70飞秒,该过程与载...
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