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[学位论文] 作者：魏昌俊,,
来源：华北电力大学(北京) 年份：2018
碳化硅(SiC)材料相比于传统硅(Si)材料具有很多优异的特性,表现为禁带宽度大、本征温度高、击穿场强高、热导率高等。SiC材料制造技术的发展,为实现基于SiC材料的新型半导体...
[期刊论文] 作者：徐鹏,柯俊吉,赵志斌,谢宗奎,魏昌俊,
来源：华北电力大学学报：自然科学版 年份：2018
为了获取碳化硅（Si C）MOSFET功率器件静态特性及寄生电容随温度的变化规律,以Cree公司第二代1200V/36A碳化硅MOSFET为研究对象,利用Agilent B1505A功率器件分析仪/曲线追踪仪在...
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