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[期刊论文] 作者：孙鹏,魏昌俊,柯俊吉,赵志斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态...
[期刊论文] 作者：魏昌俊,孙鹏,柯俊吉,赵志斌,杨霏,,
来源：智能电网 年份：2017
短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSF...
[期刊论文] 作者：柯俊吉,赵志斌,魏昌俊,徐鹏,谢宗奎,杨霏,,
来源：半导体技术 年份：2017
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,...
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