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[期刊论文] 作者：李雅飞,李晓良,马英杰,陈洁珺,徐飞,顾溢,
来源：半导体光电 年份：2018
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关, 压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性, Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻......
[期刊论文] 作者：张见,陈星佑,顾溢,龚谦,黄卫国,杜奔,黄华,马英杰,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2018
利用气态源分子束外延技术在InP衬底上生长了包含InAlAs异变缓冲层的In0.83 Ga0.17As外延层.使用不同生长温度方案生长的高铟InGaAs和InAlAs异变缓冲层的特性分别通过高分辨X...
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