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[学位论文] 作者：韩彦军,
来源：清华大学 年份：2003
本论文对制作高亮度GaN基蓝绿色发光二极管(LED)器件中的一些关键技术问题进行了详细的研究。 首先，讨论了制作高质量的p型和n型欧姆接触电极的问题。从p-GaN的材料退火，电...
[期刊论文] 作者：刘献丰,韩彦军,
来源：内燃机配件 年份：2003
以提高质量(Quality)、降低成本(Cost)、准时交付(Time)、快速响应(Response)为目标的研究正受到内燃机零部件工业的重视.本文详细介绍了一种以活塞头部外圆和顶面作为精基准...
[期刊论文] 作者：韩彦军,任杰,刘献丰,
来源：内燃机配件 年份：2003
计算机辅助工艺设计(Computer Aided Process Planning:CAPP)的第一步是建立零件信息模型.本文在介绍KOBEN-CAPP系统的基础上,讨论了基于形状特征的内燃机活塞信息描述方法....
[期刊论文] 作者：董国宇,韩彦军,董悦今,
来源：活力 年份：2003
...
[期刊论文] 作者：薛松,韩彦军,郭文平,孙长征,郝智彪,罗毅,
来源：半导体学报 年份：2003
运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p-GaN样品进行了分析。在样品表面制作了Ni／Au电极并进行了I-V特性测试．实验结果表明样品表面镓...
[会议论文] 作者：薛松,韩彦军,郭文平,孙长征,郝智彪,罗毅,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本研究通过采用HF溶液处理p型GaN表面.接着运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对处理前后的p-GaN样品表面的化学组分进行了分析....
[会议论文] 作者：韩彦军,薛松,郭文平,孙长征,郝智彪,罗毅,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态有着重要的影响,必须根据n-GaN的光学和电学...
[会议论文] 作者：韩彦军,薛松,郭文平,孙长征,郝智彪,罗毅,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
在器件的制作过程中,n-GaN的表面状态对n型欧姆接触起决定作用,同进也严重影响着器件的光电性能.而ICP刻蚀过程对n-GaN的表面状态有着重要的影响,必须根据n-GaN的光学和电学特性的变化对ICP刻蚀技术加以优化.......
[会议论文] 作者：胡卉,郭文平,邵嘉平,周晓滢,韩彦军,薛松,孙长征,罗毅,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分析....
[会议论文] 作者：罗毅;胡卉;韩彦军;郭文平;邵嘉平;薛松;孙长征;郝智彪;,
来源：海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会 年份：2003
综述了清华大学电子系集成光电子学国家重点实验室在面向半导体照明的氮化镓发光二极管产业化技术研究方面的近期进展.我们在LED芯片的电致发光光谱特性、AlGaN/GaN材料的刻...
[会议论文] 作者：郭文平,胡卉,邵嘉平,韩彦军,薛松,汪莱,孙长征,郝智彪,罗毅,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
GaN基蓝绿光发光二极管已经进入了大规模商用化阶段.然而,GaN基发光二级管的发光波长随注入电流而变化仍然是外延片生长遇到的关键技术难题之一.本文通过改进量子阱结构,优化...
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