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[期刊论文] 作者：丁勇,陆生礼,赵福川,
来源：科学通报 年份：2005
在研究旁栅偏压条件下MESFET输出特性时经常发现沟道电流的低频振荡现象.通过测试不同旁栅电压条件下的GaAsMESFET输出特性,研究了沟道电流的低频振荡现象与旁栅偏压的关系,...
[期刊论文] 作者：唐守龙,罗岚,陆生礼,
来源：应用科学学报 年份：2005
深入研究了MOSFET输出阻抗对Gilbert混频器线性度的影响,建立了针对MOSFET输出阻抗的混频器非线性模型,得出了Gilbert混频器线性度最优偏置条件.基于0.25 μm CMOS工艺的Gilb...
[会议论文] 作者：丁勇;陆生礼;时龙兴;,
来源：中国电子学会电路与系统学会第十九届年会 年份：2005
图像的边缘对人的视觉有重要意义,在数字视频处理中可以通过锐化边缘来达到增强视频图像的效果.此问题的关键是对图像的边缘进行准确地定位,但是由于数值导数是一个病态问题,...
[期刊论文] 作者：薛海妹,唐守龙,陆生礼,
来源：中国集成电路 年份：2005
本文设计了一种高增益低噪声混频器,提出了一种新的吉尔伯特混频器负载级电路.该混频器在3.3V工作电压下,基于Chartered 0.25 μ m标准CM0S工艺设计模型进行仿真验证,优化结...
[期刊论文] 作者：周凤亭,王胤翔,陆生礼,
来源：电子器件 年份：2005
时钟树综合是芯片后端设计至关重要的一环,时钟偏差成为限制系统时钟频率的主要因素.本文以一款TSMC 0.25 μm工艺的RISC微处理器芯片为例,介绍了使用Synopsys公司的 P&R工具...
[期刊论文] 作者：王胤翔,周凤亭,陆生礼,
来源：电子器件 年份：2005
信号完整性的设计收敛已经成为当前深亚微米集成电路物理设计流程中的关键问题.对信号完整性收敛产生不利影响的有三个因素:串扰、直流电压降和电迁移.其中影响最大的是串扰,...
[期刊论文] 作者：唐守龙,罗岚,陆生礼,时龙兴,
来源：电路与系统学报 年份：2005
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator,LO)作用下的开关模型,提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0.25μm标准CMOS工艺的Gilbe...
[期刊论文] 作者：唐守龙,罗岚,陆生礼,时龙兴,
来源：电路与系统学报 年份：2005
本文深入研究了CMOS Gilbert混频器在四类本振信号(Local Oscillator，LO)作用下的开关模型，提出了相应情况下的混频器电压转换增益修正公式。基于0．25μm标准CMOS工艺的Gilbert...
[会议论文] 作者：鲍嘉明,孙伟锋,赵野,陆生礼,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了本文......
[期刊论文] 作者：陆生礼,孙智林,孙伟锋,时龙兴,
来源：半导体学报 年份：2005
随着SOI层厚度的变化，当SOI层的厚度为2μm时，SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压．如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布，那么它的纵向电场就会为一个常数，击穿电压会达到最大值，而......
[期刊论文] 作者：陆生礼,孙伟锋,易扬波,伍玉萍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体...
[期刊论文] 作者：陆生礼,柯导明,陈军宁,孟坚,朱德智,
来源：电子学报 年份：2005
本文用摄动法求解了横向压阻效应四端硅压力传感器输出电压的两维偏微分方程,导出了器件的输出电压与器件尺寸的关系;证明了随应力而变的输出电压最大值在器件横向L/2处,并给...
[期刊论文] 作者：陆生礼,孙智林,孙伟锋,时龙兴,,
来源：半导体学报 年份：2005
随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最...
[期刊论文] 作者：李海松,孙伟锋,易扬波,俞军军,陆生礼,
来源：半导体学报 年份：2005
功率器件寄生电容的大小直接关系到平板显示器驱动芯片的功耗及性能，本文利用器件的动态电流来分析NLDMOS寄生电容特性，在不影响NLDMOS直流特性的前提下，通过改变鸟嘴位置，得到具......
[期刊论文] 作者：俞军军,孙伟锋,易扬波,李海松,陆生礼,
来源：微电子学 年份：2005
借助软件,模拟并研究了SOI LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系;研究了栅氧化层厚度,漂移区注入剂量,P阱注入剂量,SOI厚度,场板长度等五个结构工艺参数对Cgd...
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