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In2O3基热线型气敏元件的研制
[期刊论文] 作者：宋立新,钟克创,詹自力,高胜国,尚中锋,彭春红, 来源：郑州轻工业学院学报：自然科学版 年份：2003
在自制的In2O3里,掺入适当配比的PtO2,GeO2,ZnO,V2O5等金属氧化物构成气敏材料,用Pt丝作加热丝,采用热线型工艺,850℃烧结1 h可得In2O3基气敏元件.该元件对可燃性气体CH4,LPG...
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