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[学位论文] 作者:金昌连, 来源:厦门大学 年份:2013
近年来,氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)后,受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料,ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较大的激子束缚能(60meV)等特点,使得其...
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