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[会议论文] 作者：刘胜厚,蔡勇,王金延,林书勋,曾春红,时文华,张宝顺,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们采用电子束光刻和干法刻蚀的手段实现了纳米沟道阵列AlGaN/GaN HEMTs。普通结构器件的阈值电压在-3.65V,而沟道宽度缩小至66nm的纳米沟道阵列器件的阚值电压偏移到-1.35V,偏移量达到2.3V。通过系统性的实验研究,我们还进一步证实在纳米尺度下(～几百纳米以内)......
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