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[期刊论文] 作者：郭宝平,B.Cunin,牛憨笨,
来源：光子学报 年份：2005
讨论了高重复频率扫描电路的研制,利用此扫描电路研制了扫描相机,使用掺钛兰宝石激光器进行了时间分辨率的标定,使用半导体激光器作为光源进行了脉冲宽度的测试.最高工作频率...
[会议论文] 作者：单宝忠,郭宝平,王淑岩,牛憨笨,
来源：深圳市科协2005年年会 年份：2005
本文设计了大视场二维激光扫描系统.扫描系统以多面体转镜作为扫描器,F-θ透镜作聚焦系统.F-θ透镜不同于普通的光学透镜,通常用于激光扫描系统,将激光束聚焦,利用...
[期刊论文] 作者：单宝忠，郭宝平，王淑岩，牛憨笨，ShanBaozhong，G,
来源：黑龙江科技学院学报 年份：2005
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：刘立新, 屈军乐, 林子扬, 陈丹妮, 郭宝平, 牛憨笨,,
来源：深圳大学学报 年份：2005
荧光寿命取决于荧光分子所处的微环境,通过对样品荧光寿命的测量和成像可以定量获取样品的功能信息.介绍荧光寿命成像(fluorescence lifetime imaging, FLIM)技术原理、实现...
[期刊论文] 作者：林子扬,牛憨笨,郭宝平,屈军乐,彭文达,田劲东,,
来源：光学技术 年份：2005
将脉宽120fs、重复率76MHz激光引入激光扫描显微镜的激发光路,利用其扫描系统对荧光标记样品激发扫描,将激发出的荧光从荧光探测光路引入备用的外部探测口;在探测口接一快速...
[期刊论文] 作者：朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉,
来源：半导体学报 年份：2005
利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上，用不同温度生长AlN缓冲层，再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对......
[期刊论文] 作者：朱军山,胡加辉,徐岳生,刘彩池,冯玉春,郭宝平,
来源：稀有金属 年份：2005
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840...
[期刊论文] 作者：胡加辉, 朱军山, 冯玉春, 张建宝, 李忠辉, 郭宝平,,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DC...
[期刊论文] 作者：冯玉春,胡加辉,张建宝,王文欣,朱军山,杨建文,郭宝平,
来源：人工晶体学报 年份：2005
为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、...
[期刊论文] 作者：胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射...
[会议论文] 作者：赵丽伟,郭宝平,刘彩池,郝秋艳,滕晓云,朱军山,孙世龙,王海云,徐岳生,冯玉春,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度......
[会议论文] 作者：赵丽伟[1]郭宝平[2]刘彩池[1]郝秋艳[1]滕晓云[1]朱军山[1]孙世龙[1]王海云[1]徐岳生[1]冯玉春[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原...
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