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[会议论文] 作者：郭太良,
来源：中国电子学会电子学科跨世纪优秀人才学术讨论会 年份：1994
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[期刊论文] 作者：郭太良,王树程,
来源：功能材料 年份：1994
采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达１７００μＡ／ｌｍ、逸出功低至１．２～１．３ｅＶ的负电子亲和势ＧａＡｓ光电发射材料。本文介绍了ＧａＡｓ光电材料的激活系统及其逸出功测试系统，叙述了艳氧多次交替激活工艺，给出了......
[期刊论文] 作者：吴新坤,郭太良,
来源：福州大学学报：自然科学版 年份：2000
叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静...
[期刊论文] 作者：林志贤,郭太良,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：2000
主要论述了场致发射材料及其特性，对金属，硅微尖，金刚石薄膜，ＧａＡｓ等的制备工艺和阴极特性作了较为详细的分析。介绍了这些材料在新型场致发射显示器件（ＦＥＤ），真空微电子管作为阴极材料的应用......
[期刊论文] 作者：郭太良,林渠渠,
来源：福州大学学报：自然科学版 年份：1994
介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了......
[期刊论文] 作者：郭太良,高怀蓉,
来源：功能材料 年份：1994
采用碱锑化合物的镀制与铯氧激活可制备复合型Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ＿２Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ＿３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｃｓ＿３Ｓｂ－·Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ＿２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，其最高灵敏度分别可达９５０，１０５０，１５０和２０００μＡ／１ｍ，其最低逸出功分别已达１．０，０．９，０．８５和０．９ｅＶ。比较了复合型Ｓｉ光电发射材料与Ｓｉ和Ｎａ＿２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的一些性能参数......
[期刊论文] 作者：郭太良,王树程,
来源：福州大学学报：自然科学版 年份：1995
采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射率效率为１６％，本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制备方法，给出了Ｓｉ冷阴极的雪......
[期刊论文] 作者：陈建林,郭太良,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：2002
介绍低熔点玻璃材料封接工艺, 主要包括低熔点玻璃材料的选择、调制、涂覆、加热处理以及玻璃基板的预处理.根据此工艺,已封接出令人满意的显示屏....
[期刊论文] 作者：林志贤,张莉,郭太良,
来源：龙岩师专学报 年份：2001
驱动电路的设计与制作是平板显示器中的又一重要内容.本文就平板显示器驱动电路的一般原理作了详细的分析,其中包括矩阵扫描、能量恢复电路、灰度电路以及后级匹配功率放大器...
[期刊论文] 作者：叶光,林志贤,郭太良,
来源：龙岩师专学报 年份：2002
介绍了在玻璃衬底上射频磁控溅射SiO2薄膜的工艺技术,给出了薄膜淀积速率,膜内组分与工艺条件特别是溅射气压的关系。实验证明,和其他镀膜技术相比,射频磁控溅射可以在更低的...
[期刊论文] 作者：叶光,林志贤,郭太良,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：2002
介绍了一种用于场致发射显示的平面多层膜电子发射结构的制作过程, 采用真空溅射的方法镀制玻璃衬底/Cr-Cu/ Al2O3/ZnS /Ag结构的平面电子源, 对其发射性能进行了论述, 并取...
[期刊论文] 作者：郭太良,王敏,高怀蓉,
来源：电子科学学刊 年份：1989
本文分析了B-A规和银管在除气和工作过程中的放气成份,提出了对银管进行N_2-O_2,交替高温除气处理。利用这一方法能有效地缩短除气时间,提高除气真空度和进氧纯度。文中详细...
[期刊论文] 作者：郭太良,王敏,黄振武,高怀蓉,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：1988
本文叙述反射式ＧａＡｓ负电子亲和势（ＮＥＡ）光电阴极的激活工艺已制备出积分灵敏度为４４０～１１７７μＡ／ｌｍ的光电阴极。文中讨论了对ＮＥＡ光电阴极稳定性的影响因素，铯和氧的作用，以及ＮＥＡ的形成机理。This article des......
[期刊论文] 作者：郭太良,林渠渠,林立炜,林建光,高怀蓉,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：1994
介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了......
[期刊论文] 作者：郭太良,王树程,章秀淦,林渠渠,高怀蓉,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：1995
采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和铯氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射效率为１６％。本文介绍阵列式Ｓｉ雪崩冷阴极的制各方法，给出了Ｓｉ冷阴极的......
[期刊论文] 作者：郭太良,王树程,林渠渠,黄振武,高怀蓉,
来源：功能材料 年份：1994
采用铯氧多次交替激活可获得积分灵敏度高达１７００μＡ／ｌｍ、逸出功低至１．２～１．３ｅＶ的负电子亲和势ＧａＡｓ光电发射材料。本文介绍了ＧａＡｓ光电材料的激活系统及其逸出功测试系统，叙述了艳氧多次交替激活工艺，给出了......
[期刊论文] 作者：吴新坤,郭太良,黄振武,林建光,章秀淦,王瑞红,
来源：福州大学学报(自然科学版) 年份：2000
叙述了真空静电封接技术的工艺过程 ,对封接结果做扫描电子显微镜 (SEM)断面观察 ,并对封接件断面的元素浓度的深度分布用二次离子质谱分析器 (SIMS)进行分析 ,提出了真空静...
[期刊论文] 作者：张德颖,章秀淦,郭太良,黄振武,吴新坤,林建光,林志贤,曾益,
来源：福州大学学报（自然科学版） 年份：1999
测定了Zr浓度为x=0.85～0.97的锆钛酸铅陶瓷(PZT)的径向线收缩率和致密度.同时,利用球模型推导的扩散机制的烧结方程获得该Zr浓度范围内PZT陶瓷的烧结活化能.研究发现,在PZT陶...
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