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[期刊论文] 作者：邓忠生,魏建东,暴玉萍,王珏,沈军,周斌,陈玲燕,吴家梅,
来源：硅铝化合物 年份：2003
以多聚硅为硅源，通过溶胶-凝胶、表面修饰及超临界干燥过程制备出了疏水型SiO2气凝胶，表面修饰后SiO2气凝胶洞由修饰前的23．1nm减小到18．2nm，比表面积由修饰前的477m^2g^-1增加到5...
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