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[期刊论文] 作者：赵有文,,
来源：才智 年份：2004
随着我国社会的不断发展,我国的教育事业也得到了极大的发展,技工学校以其自身独有的优势也得到了极大的发展,英语教学一直都是教师以及家长广泛关注的教学内容.技工学校的教...
[学位论文] 作者：赵有文,,
来源：华中农业大学 年份：2004
c-di-GMP(cyclic diguanosine monophosphate,环二鸟苷酸)是细菌内常见的核酸类第二信使,其浓度受到含有GGDEF结构域的二鸟苷酸环化酶(DGC)和含有EAL或HD-GYP结构域的磷酸二...
[会议论文] 作者：赵有文,董宏伟,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体......
[期刊论文] 作者：吕小红,赵有文,孙文荣,
来源：半导体学报 年份：2004
通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生...
[期刊论文] 作者：周立,陈涌海,王占国,赵有文,
来源：光散射学报 年份：2004
运用X射线衍射仪和拉曼光谱仪,测量了物理气相输运(PVT)方法生长的AlN多晶材料的X射线衍射和常温拉曼光谱.常温拉曼光谱研究了晶界、晶面方向与拉曼频率的关系,观察到了E和E...
[期刊论文] 作者：赵有文,刘思林,孙同年,高书增,,
来源：半导体情报 年份：2004
介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700～4900...
[期刊论文] 作者：赵有文,罗以琳,冯汉源,C.D.Beling,林兰英,
来源：半导体学报 年份：2004
利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的...
[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,孙文荣,段满龙,杨子祥,
来源：半导体学报 年份：2004
分析研究了一些缺陷对InP单晶衬底的影响,包括团状结构位错的产生及其对晶格完整性的影响,坑状微缺陷、晶片抛光损伤和残留杂质的清洗腐蚀等.对这些缺陷的形成原因和抑制途径...
[期刊论文] 作者：董志远,赵有文,曾一平,段满龙,李晋闽,
来源：中国科学E辑:工程科学 材料科学 年份：2004
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了高温退火处理后磷化铟中的深能级缺陷.在退火前以及纯磷和磷化铁气氛下,退火后低阻磷化铟中的深能级缺陷的数量和浓度明显不同,磷化铁气氛下退火...
[期刊论文] 作者：谢辉,赵有文,刘彤,董志远,杨俊,刘京明,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2004
Infrared absorption local vibration mode (LVM) spectroscopy is used to study hydrogen related defects in n-type ZnO single crystal grown by a closed chemical va...
[期刊论文] 作者：赵有文, 董志远, 段满龙, 孙文荣, 杨子祥, 吕旭如,,
来源：人工晶体学报 年份：2004
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料 ,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片。在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化...
[期刊论文] 作者：赵有文,孙文荣,段满龙,董志远,杨子祥,吕旭如,
来源：半导体学报 年份：2004
利用液封直拉法(LEC)生长了直径50mm〈100〉和〈111〉晶向的InAs单晶.分析研究了n型杂质Sn,S和p型杂质Zn,Mn的分凝特性、晶格硬化作用、掺杂效率等.利用X射线双晶衍射分析了...
[期刊论文] 作者：毛卫东,王少阶,王柱,孙聂枫,孙同年,赵有文,,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：2004
在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱. 常温下的结...
[期刊论文] 作者：赵有文, 董志远, 段满龙, 孙文荣, 杨子祥, 吕旭如, 王应,
来源：人工晶体学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：赵有文,董志远,段满龙,孙文荣,杨子祥,吕旭如,王应利,
来源：人工晶体学报 年份：2004
在不同的化学配比条件下制备了半绝缘磷化铟材料,其中包括配比和富铟熔体中的铁掺杂以及磷气氛和磷化铁气氛下高温退火非掺杂晶片.在这些半绝缘磷化铟材料中检测到了与非化学...
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2004
对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表...
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