搜索筛选:
搜索耗时1.7701秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 3 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：薛小霜,
来源：陕西科技大学 年份：2010
氮化镓(GaN)材料是室温下具有3.4eV的直接宽带隙半导体材料，其禁带宽度大，符合高亮度二极管(LED)、激光二极管(LD)以及抗辐射器件和高密度集成电子器件对光、电性能的需求。GaN...
[期刊论文] 作者：薛小霜,王芬,朱建峰,王志伟,崔珊,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
以Ga2O3为主要原料,通过氨气氮化反应合成了单相GaN粉体。利用X射线衍射(XRD)、扫瞄电镜(SEM)和荧光光谱(PL)分析在900～1050℃范围内,氮化温度和时间对产物的影响。结果表明:...
[期刊论文] 作者：王艳,黄剑锋,朱辉,曹丽云,薛小霜,曾燮榕,,
来源：无机化学学报 年份：2010
采用微波水热辅助电沉积法在ITO导电玻璃表面制备了形貌均匀具有纳米棒、纳米板状结构的Bi2S3薄膜。利用XRD、XPS、场发射扫描显微镜（FESEM）、TEM和UV-Vis-NearIR对薄膜的结构...
相关搜索：
