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[会议论文] 作者：任国强,王建峰,苏旭军,刘宗亮,徐科,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
当前,GaN基器件在高温、高频率、高功率密度的微电子器件和可见区短波段及紫外波段的光电子器件应用领域展现了巨大的优势.然而目前GaN器件主要采用蓝宝石衬底,通过异质外延方法制作,存在较大的晶格适配和热适配,得到的GaN外延层位错密度高,限制了GaN器件的产业......
[会议论文] 作者：任国强[1]王建峰[2]苏旭军[1]刘宗亮[1]徐科[1],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
当前,GaN基器件在高温、高频率、高功率密度的微电子器件和可见区短波段及紫外波段的光电子器件应用领域展现了巨大的优势.然而目前GaN器件主要采用蓝宝石衬底,通过异质外延...
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