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[期刊论文] 作者：陈航宇,宋建军,张洁,胡辉勇,张鹤鸣,
来源：物理学报 年份：2018
小尺寸单轴应变Si p型金属氧化物半导体（PMOS）沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关,应变PMOS优化设计时应合理选择沟道的晶面/晶向.目前,文献已有1.5 GPa应力强度下单轴应变Si...
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