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[期刊论文] 作者：胡辉勇,
来源：广东建材 年份：2007
投标工作是施工企业的核心工作之一，本文介绍了投标统筹工作内容，就此内容谈论施工企业进行投标统筹的方法和投标过程中应注意的事项。...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,,
来源：福建建材 年份：2007
从施工单位投标报价的角度，谈谈设置投标限价的要求及建议。...
[会议论文] 作者：田靖,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用溶胶凝胶法，制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构，测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上，得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN...
[会议论文] 作者：李敏,张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
为确保芯片的稳定工作,许多集成电路都需要有高质量的内部稳定电压源,为芯片内部其他电路提供稳定的电压.本文设计了一款适用于芯片内部的具有温度系数低,电源抑制比高,...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,贾新章,戴显英,宣荣喜,
来源：半导体学报 年份：2007
根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这...
[会议论文] 作者：傅强,张鹤鸣,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,贾新章,戴显英,宣荣喜,,
来源：半导体学报 年份：2007
根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这...
[会议论文] 作者：宋建军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点，其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。本文采用结合形变势理论的KP微扰法，建立了(001)面弛豫Si1-xGex衬底上生长的张应变Si的能带结构模型。结果表明：[00±1]方向能谷构成了张应变Si导带带边，其能量值......
[期刊论文] 作者：张鹤鸣,崔晓英,胡辉勇,戴显英,宣荣喜,,
来源：物理学报 年份：2007
在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子...
[会议论文] 作者：王天军,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
研究设计了一款控制PWM输出的双极型上升沿T触发器。该触发器未采用传统双非门锁存结构，而通过内部电平控制实现对信号的锁存。芯片设计采用双极器件工艺，而非BiCMOS工艺，工......
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