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[会议论文] 作者：俞智刚,胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型.应用MATLAB软件对该模型进行了...
[期刊论文] 作者：黄大鹏, 戴显英, 张鹤鸣, 王伟, 吴建伟, 胡辉勇, 张,
来源：微电子学 年份：2005
侧墙厚度及悬梁长度是SiGe HBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft.在目前的文献中,尚未...
[会议论文] 作者：胡辉勇;张鹤鸣;戴显英;宣荣喜;俞智刚;王喜媛;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
集电结空间电荷区的渡越时间是影响晶体管交流放大系数和频率特性的重要参数.本文分三种情况求解了SiGeHBT集电结耗尽层宽度,建立了不同集电极电流密度、包括基区扩展效应条...
[会议论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,宣荣喜,区健锋,王喜媛,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道阈值电压模型,利用MATLAB软件对该模型进行了数值分析.讨论了器件结构中δ-掺杂层杂质浓度和间隔层厚度与电子...
[会议论文] 作者：区健锋;张鹤鸣;胡辉勇;戴显英;宣荣喜;俞智刚;王喜媛;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文基于SiGeHBT的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,朱永刚,王顺祥,王伟,崔晓英,王青,,
来源：半导体学报 年份：2005
在对SiGeHBT（异质结双极晶体管）载流子输运的研究基础上，建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型，发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关，在正偏......
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,李开成,王伟,朱永刚,王顺祥,崔晓英,
来源：半导体学报 年份：2005
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1—xGex和Si材料．在此低温下，有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰．X射线分析结...
[期刊论文] 作者：黄大鹏,戴显英,张鹤鸣,王伟,吴建伟,胡辉勇,张静,刘道广,
来源：微电子学 年份：2005
侧墙厚度及悬梁长度是SiGeHBT超自对准器件工艺中的重要结构参数,对器件的寄生效应和结面积有一定的影响,因而也影响器件的电流放大系数β和特征频率ft。在目前的文献中,尚未...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,李开成,王伟,朱永刚,王顺祥,崔晓英,
来源：半导体学报 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,王顺祥,朱永刚,区健锋,俞智刚,马何,
来源：电子学报 年份：2005
应变Si(Strain Si)调制掺杂NMOSFET量子阱沟道中电子面密度直接影响器件的开关特性.本文通过求解泊松方程,建立了应变Si调制掺杂NMOSFET量子阱沟道静态电子面密度模型,并据此...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,朱永刚,王顺祥,王伟,崔晓英,王青,王喜媛,
来源：半导体学报 年份：2005
在对SiGeHBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGeHBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在...
[期刊论文] 作者：胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,李开成,王伟,朱永刚,王顺祥,崔晓英,王喜媛,
来源：半导体学报 年份：2005
应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGex和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析...
[期刊论文] 作者：刘道广,郝跃,徐世六,李开成,刘玉奎,刘嵘侃,张静,胡辉勇,李培咸,张晓菊,徐学良,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2005
采用基区及发射区自对准和空气桥技术,降低了SiGe异质结晶体管器件的基极电阻及集电极和基极之间的结电容,提高了SiGe异质结晶体管器件的最高振荡频率fmax.以分子束外延SiGe...
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