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[会议论文] 作者：章晓文,赵文彬,
来源：中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 年份：2006
本文介绍了热载流子注入效应产生的机理,并介绍了热载流子注入效应的模型参数提取软件Relpor+TM.测量了与非门电路各节点的电压值,利用Relpro+TM软件测量了与非门中器件的退...
[期刊论文] 作者：王茂菊,李斌,章晓文,陈平,韩静,,
来源：电子器件 年份：2006
随着超大规模集成电路的不断发展，薄栅氧化层的质量对器件和电路的可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿（TDDB）是评价薄栅氧化层质量的重要方法。本次实验主要是通过斜坡电压实......
[期刊论文] 作者：章晓文,恩云飞,赵文彬,李恒,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2006
介绍了绝缭体上硅（SOI）材料的制作方法．阐进了SOIMOSFET器件的热载流子注入效应的失效机理。研究表明：前沟和背面缺陷的耦合效应是SOI器件的特有现象．对SOI器件的退化构成潜在的威......
[期刊论文] 作者：林晓玲,费庆宇,章晓文,施明哲,,
来源：电子产品可靠性与环境试验 年份：2006
介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术——反应离子腐蚀去钝化层法，包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响，并列举了几个实用例子。反应离子......
[期刊论文] 作者：章晓文,恩云飞,张鹏,叶兴跃,,
来源：微电子学 年份：2006
对硅片直接键合／绝缘体上硅（SDB／SOI）双极电路的退化机理进行了描述。在基极-发射极反向偏置的条件下，研究了应力作用时间与器件参数的退化关系。实验结果表明，电流放大倍数β与退......
[会议论文] 作者：何玉娟,师谦,罗宏伟,章晓文,李斌,刘远,
来源：中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 年份：2006
辐射偏置条件是影响MOSFET(Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)总剂量辐射效应的主要因素之一,因为辐射时栅氧化层中电荷的产生、传输与俘获都与辐射偏置有关.本...
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