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[期刊论文] 作者:崔京京,章剑锋, 来源:集成电路应用 年份:2021
研究新型10kV电压等级的碳化硅场效应晶体管结构,具有碳化硅MOSFET的高频工作特性以及IGBT器件的大电流导通能力。在传统碳化硅MOSFET结构的基础上,在器件底部漏极区加入了间...
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