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[期刊论文] 作者：邓熙,
来源：中国会展 年份：2015
绵阳会展中心的建成为当地会展业的发展提供了便利，东家绵阳科发会展旅游有限责任公司如何...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
东芝公司最新发布了一系列500KA和750KA的不间断电源,供应于有碳化硅基功率器件构建的数据中心。G2020系列运行效率为98%,据称是双倍转换式不间断电源行业内最高的运行效率。...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
飞思卡尔公司针对移动蜂窝基站发布了首款氮化镓射频功率器件。型号A2G22S160-01S器件可应用于30W和40W放大器,适用于无线基础设施应用,是针对移动蜂窝市场计划研发的Airfast...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
EPC近日发布了两款eGaN FET,其功率转换性能显著提升。产品运行温度最高可达150°C摄氏度,脉冲电流容量分别为可达200A(150VEPC2034)和140A(EPC2033)。可应用于直流转换器,直...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
Qorvo发布了一系列输入匹配并以低成本的塑料外壳封装的氮化镓晶体管,预期为商用和军用雷达以及无线电通信系统节约成本。“Qorvo公司的输入匹配的晶体管能在频段内实现功率...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
欧盟项目组HiPoSwitch,成功研发了一款快速高效增强型氮化镓功率开关。单一器件晶体管仅4.5×2.5mm2,经过优化可应用于600V条件下,导通电阻75mΩ,最大电流120A。晶体管成品最...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
MACOM研发了一款宽带放大器,适用于直流50GHz频带范围,型号MAAM-011109-DIE。该型放大器具有较高性能,可实现50欧匹配,典型的输入和回退损耗都优于15dB,低噪声,十分便于使用,...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
致力于卫星宽带通信系统的研发的Advantech Wireless公司,最新发布了一款可应用于军事应用战略的50 W X波段氮化镓阻碍转换器上变频器。50 W X波段氮化镓上变频阻碍转换器安...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
MACOM发布一款高线性度6W功率放大器,适用于Ka波段高数据密度的卫星通信和5G无线接入网。裸片(MAAP-011140-DIE)具有24dB线性增益,6W饱和输出功率,23%功率附加效率。该项产品...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
IDT公司和EPC公司近日决定合作,将IDT公司的硅技术和EPC的氮化镓技术结合,携手开发针对通信、计算机基础设施,无线电功率和射频电路领域的新型器件。对于通信基础设施应用来...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
Cree发布了行业内首个900V碳化硅MOSFET技术。该技术可在高频功率电子领域应用,如可再生能源变频器,电动车辆充电系统,三相工业电源。该900V平台与硅基解决方案成本相近,具有...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
随着增加强型650V硅基氮化镓晶体管GS65516T问世,GaN Systems公司的增强型硅基氮化镓晶体管产品再增新品,GS65516T据称能提供60A市场最高的电流能力。GS65516T功率开关采用了...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
美国Cree公司启动全新项目,致力研究可实现的最高功率Ku波段单片微波集成电路。Cree公司称,该30W Ku波段碳化硅上氮化镓单片微波集成电路两级高功率放大器可覆盖13.5-14.75GH...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
GaN Systems称最新研发出世界上最小的650V,15A的氮化镓晶体管。新型晶体管GS66504B尺寸仅5.0mm×6.5mm,是7A到200A范围、650V器件系列产品的新成员,比同类产品的尺寸缩小50%...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走,但研究已经开展起来,目前也取得了一些成果,比如对概念的物理分析。实际操作中...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
Rohm最新发表了他们首次采用沟槽式结构研制并大批量生产了碳化硅MOSFET。与传统平面式碳化硅MOSFET相比,同样芯片尺寸条件下,导通电阻降低了50%,极有可能也能大幅降低许多设...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
Custom MMIC公司将于5月19日到21日在美国亚利桑那州菲尼克斯市举行的2015国际微波研讨会上发布几款新型砷化镓和氮化镓MMIC放大器,开关和倍频增效器。最新系列的产品包括两...
[期刊论文] 作者：科发,,
来源：半导体信息 年份：2015
Northrop Grumman公司近期研发了一款氮化镓MMIC功率放大器,据称能获得Ka波段最大功率。这款27-30GHz的放大器在27GHz时,峰值功率达到40W条件下,27到30GHz放大器平均输出功率...
[期刊论文] 作者：,
来源：杭州科技 年份：2015
三年前，IPO关闸。股权投资一级市场的PE／VC普遍深陷泥潭，所投资的企业敲不开IPO的大门。也正是三年前在PE／VC哀鸿遍野的背景下，浙大科发成立了股权投资一号基金，投资了元成园林、万......
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