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[学位论文] 作者：祁康成,,
来源：电子科技大学 年份：2008
以场致发射理论为基础的真空微电子器件（VMDs），因其具有体积小、功耗低、电压低、速度快、抗辐射及工作温度范围宽等显著的特点而倍受人们的关注。场发射阴极是真空微电子器件的......
[期刊论文] 作者：董建康,祁康成,李新义,高峰,,
来源：电子器件 年份：2008
在修改常规Spindt型阴极制备工艺的基础上制作出低电压驱动且具有亚微米栅极孔径的场发射阵列，采用硅的局部氧化工艺制备栅极绝缘层，利用硅的侧向氧化使栅极孔径降低到亚微米量......
[期刊论文] 作者：张化福,袁玉珍,臧永丽,祁康成,,
来源：液晶与显示 年份：2008
以NH3和SiH4为反应源气体，在低温下采用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）法在多晶硅（p-Si）衬底上沉积了SiNx薄膜。系统地分析讨论了沉积温度、射频功率、反应源气体流量比......
[期刊论文] 作者：罗德均,祁康成,林祖伦,李新义,,
来源：电子器件 年份：2008
轻、小型层流电子枪在电子束焊接，微波器件等方面具有广泛的应用，希望得到稳定的、环形分布且会聚良好的电子束。但传统电子枪的聚焦系统如磁聚焦或电磁混合聚焦存在结构复杂、......
[期刊论文] 作者：王小菊,林祖伦,祁康成,王本莲,蒋亚东,,
来源：强激光与粒子束 年份：2008
六硼化镧（LaB6）场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在（111）面单晶LaB6基片上，用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜，光刻后采用电化学腐蚀方法......
[期刊论文] 作者：王小菊,蒋亚东,林祖伦,祁康成,陈泽祥,
来源：强激光与粒子束 年份：2008
采用氧等离子体氧化刻蚀工艺，制备出尖锐的六硼化镧（LaB6）微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能，得到了真空度为5×10^-5Pa下的I-V曲线及相应的Fowl...
[期刊论文] 作者：李新义,祁康成,董建康,罗德均,王小菊,,
来源：电子器件 年份：2008
采用湿法刻蚀、电子束蒸发、真空高温退火方法，成功制备出钼硅化物薄膜刀口型尖锥场发射阵列，并对涂敷钼硅化物薄膜刀口型尖锥阵列和刀口型硅尖锥阵列的电子发射性能进行了测试......
[期刊论文] 作者：祁康成,董建康,林祖伦,曹贵川,成建波,
来源：强激光与粒子束 年份：2008
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术，利用2．6μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1μm的场发射阴极的栅极空腔阵列，实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔......
[期刊论文] 作者：廖乃镘,李伟,蒋亚东,吴志明,匡跃军,祁康成,李世彬,,
来源：中国科学(E辑:技术科学) 年份：2008
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,利用喇曼散射谱、椭偏透射谱和暗电导测试,通过改变辉光放电前SiH4气体温度,研究了气体温度对薄膜非晶网...
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