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[期刊论文] 作者：李莹,李广元,
来源：医学研究荟萃 年份：2003
目的：镓能抑制异常骨吸收，它是一种治疗恶性高钙血症有效的药物。因而了解某些中药和由豆芽制备有机镓中镓含量，同时观察它们对动物骨中镓水平的影响。材料和方法：10种中药分别在...
[期刊论文] 作者：肖华利,
来源：稀有金属与硬质合金 年份：2003
介绍了用高碳链的羟肟酸[YW-100(高)]+煤油+异辛醇及N503+煤油+异辛醇两段溶剂萃取和电积法从萃铟余液中回收镓的工艺设想,提出了回收镓的原则工艺流程....
[期刊论文] 作者：李忠,魏芹芹,杨利,薛成山,
来源：微细加工技术 年份：2003
主要讨论了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料氮化镓(GaN)薄膜的制备工艺、掺杂、衬底和缓冲层等相关问题,并提出了目前GaN研究中所面临的主要问题以及氮化镓材料的应用前景....
[期刊论文] 作者：温彬宇,王光信,张崇淼,杜重麟,
来源：昆明理工大学学报(理工版) 年份：2003
由于镓是稀散金属,且分布分散,因此对于微量镓的分析测定就极为重要.文章主要介绍了近几年微量镓的分析测定方法的进展,叙述了多种微量镓的分析测定方法,包括可见光分光光度...
[期刊论文] 作者：王玉兰,闫小克,
来源：现代测量与实验室管理 年份：2003
本文介绍了中国计量科学研究院镓三相点容器研制中高纯镓的充灌的方法--负压法.其利用容器内外的压差,将高纯镓充入到容器内,同时,又可避免高纯镓被氧化....
[期刊论文] 作者：龙来寿,奚长生,曾懋华,彭翠红,罗翠环,
来源：韶关学院学报(社会科学版) 年份：2003
提出一种富集和提取镓的新方法--吸附沉淀法.在一定的试验条件下,使单宁和镓生成有色的单宁-镓络合物,利用活性炭吸附有色络合物,把单宁-镓络合物吸附到活性炭上,过滤分离,灼...
[会议论文] 作者：朱春生,虞磊,徐昕,潘毅,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文研究了一种无氧条件下制备三甲基镓的方法,在有机胺的存在下,碘甲烷直接与镓镁合金作用,得到高质量的三甲基镓....
[期刊论文] 作者：徐远林,
来源：中国金属通报 年份：2003
本文叙述了镓的特性和应用领域,镓的生产状况,生产工艺,镓的供需状况和市场状况及扩产动向,世界镓的供求新动向。...
[期刊论文] 作者：苏毅,李国斌,罗康碧,毕莉,
来源：稀有金属 年份：2003
高纯金属镓主要以砷化镓、磷化镓、氮化镓及低熔合金等形式应用于电子、通讯等行业 ,近年来应用越来越广 ,需求量逐年增加。对高纯金属镓的制备方法进行了综述 ,重点介绍了电...
[期刊论文] 作者：苏毅,李国斌,罗康碧,
来源：湿法冶金 年份：2003
镓是一种重要的稀散金属,广泛应用于移动通信、个人电脑、汽车等行业,近年来其需求量增长很快。对从不同原料中提取金属镓的研究进展进行了综述,并提出应加强金属镓提取技术...
[期刊论文] 作者：李雪,,
来源：学语文 年份：2003
《教参》说王利发是一个胆小、自私、精明、千练、善于应酬,往上爬的小资产阶级形象。我认为这种说法欠妥。理由如...
[期刊论文] 作者：元之,
来源：有色金属工业 年份：2003
《金属通报》(周刊)报道说,经过2001年的暴跌之后,金属镓市场,即使到2004年至2005年,也难以恢复到暴跌前的水平。 随着电子工业的发展,金属镓的主要用途是制造化合物半导体...
[期刊论文] 作者：郑冬冬,,
来源：半导体信息 年份：2003
《科技开发动态》2003年第10期报道了南京大学一项氮化镓极性控制技术的研究成果。该成果在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区在850～900℃,高温区在1050～1100...
[会议论文] 作者：张建强,朱君山,张红娣,张建峰,刘彩池,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
氮化镓(GaN)材料是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,GaN是在绿、蓝、紫以及紫外波段最有应用前途的光电子材料.由于其优良的性能,近几年成为国际上研究的热点,...
[期刊论文] 作者：王继扬,韩荣江,尹鑫,张怀金,胡小波,邵宗书,蒋民华,
来源：功能材料 年份：2003
综述了硅酸镓镧晶体近20年来的研究概况.介绍了这种晶体的结构、生长和性质,讨论和总结了研究进展及趋势.指出采用替代或双掺的方法取代该晶体中的镓及提高晶体生长质量及重...
[期刊论文] 作者：周莉,张建中,王东军,
来源：光谱实验室 年份：2003
本文研究了铝电解质中氧化镓的测定方法,采用高温熔融样品,用三氯化钛还原Fe3+等高价离子以消除干扰.在4.5-7.0mol/L盐酸介质中,使镓与丁基罗丹明B显色,以苯萃取,分光光度法...
[期刊论文] 作者：李拂晓,蒋幼泉,陈继义,钮利荣,高建峰,邵凯,杨乃彬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
采用砷化镓76 mm 0.7 μm离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关(以下简称单片开关)....
[期刊论文] 作者：侬健桃,黄瀚,
来源：稀有金属 年份：2003
以纯镓为原料, 采用化学液相沉淀法制备了超细氧化镓粉体. 利用XRD、TEM、SEM和GDMF等分析手段对所制粉体的物相、形貌、成分、粒度进行了初步表征. 研究结果表明: 该法制得...
[期刊论文] 作者：王海霞,蒋凯,郑立庆,杨林,孟健,任玉芳,苏锵,
来源：中国稀土学报 年份：2003
综述近几年掺杂镓酸镧基固体电解质的研究进展, 分析了掺杂LaGaO3结构及导电机制, 讨论了碱土、过渡金属及杂相对掺杂镓酸镧固体电解质的导电性的影响, 描述了掺杂镓酸镧固体...
[期刊论文] 作者：黎建明,屠海令,郑安生,陈坚邦,
来源：稀有金属 年份：2003
用透射电子显微镜、扫描电镜对锑化镓材料切、磨、抛等加工工艺引入的表面损伤进行观察和检测. 结果表明: 切割加工是锑化镓单晶晶片表面损伤层引入的主要工序;锑化镓单晶切...
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