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[会议论文] 作者：王连卫,吴俊徐,陈瑜,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
在硅衬底上刻蚀深沟槽和深孔是在传感器技术的一种重要的加工手段.可以用于制作加速度传感器、陀螺仪、穿过硅片的互联和射频(RF)应用等MEMS(MicroElectroMechanical System:微机电系统)器件和光电子器件.目前通常使用的方法是深反应离子刻蚀技术(DRIE).由于这......
[期刊论文] 作者：陈瑜, 吴俊徐, 郭平生, 王连卫, M.van der Z,
来源：微细加工技术 年份：2005
研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应.在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一个...
[期刊论文] 作者：陈瑜,吴俊徐,郭平生,王连卫,M.van der Zwan,P.M.Sarro,,
来源：微细加工技术 年份：2005
研究了光辅助电化学刻蚀技术,并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入,因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌,采用一...
[期刊论文] 作者：周梅,陈效双,徐靖,曾勇,吴砚瑞,陆卫,王连卫,陈瑜,
来源：物理学报 年份：2005
利用电化学腐蚀的方法制备了大多孔硅两维光子晶体 .结构图形对称性为正方格子 ,其结构参数为正方形晶格周期a =4 4 μm ,正方形空气柱的边长l=2 μm .并用显微红外光谱仪表...
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