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[期刊论文] 作者：黄继颇,王连卫,林成鲁,
来源：功能材料 年份：2004
作为具有优异介电性、压电性的宽禁带半导体材料，ＡｌＮ是重要的电子封装材料、绝缘介质材料、声表面波材料和蓝光紫外发光材料。本文介绍了ＡｌＮ材料结构特性、薄膜制备及应用的最新进展......
[期刊论文] 作者：鲍钰胜, 熊大元, 徐少辉, 王连卫,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：钱瑞, 金振宇, 徐少辉, 熊大元, 王连卫,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：陈南, 庞宁, 童新, 徐少辉, 熊大元, 王连卫,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
以柠檬酸为原料,通过碳化制备石墨烯量子点(GQD)溶液,对制备的石墨烯量子点溶液进行超声使石墨烯量子点吸附在石墨毡表面。采用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、X射线光电子能...
[期刊论文] 作者：万青,王连卫,邢朔,章宁琳,沈勤我,林成鲁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉...
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